マイクロ空間におけるカーボンナノチューブのプロセッシング
マイクロ空間におけるカーボンナノチューブのプロセッシング
批准号:
16710087
负责人:
吾郷 浩樹
金额:
$2.11万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2004
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2004 至 2005
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カーボンナノチューブ(以下,CNTと略す)は,そのユニークな電子的・機械的・熱的性質から大きな注目を集めている。また、そのカイラリティに依存性して金属にも半導体にもなるという興味深い特性を有し、デバイス応用にはカイラリティの制御、少なくとも金属と半導体の制御が非常に重要であるとされている。本研究では、マイクロ空間と合成技術を組み合わせることで、このような高度なナノチューブの分離を行うことを目的として研究を行った。マイクロ流体デバイスと呼ばれる、微小な流路を有するチップを作製し、その中で誘電泳動と呼ばれる電気的な分離を行うことで、単層CNT分散溶液の金属-半導体分離を試みた。2年間の計画で研究を行い、昨年度はマイクロ電極を組み込んだ流体デバイスの作製を中心として行い、本年度はその中にCNT分散溶液を流すことで金属と半導体の分離を試みた。なお、従来はこのような流体デバイスを用いず分散液を電極に滴下してラマンスペクトルのみによって評価していたため、CNTの凝集状態に大きく影響を受け結果の信頼性が大きく欠けていた。そこで本研究では、ラマンスペクトルに加え、流路から出てくる分散溶液を調べることで、より信頼性の高い吸収スペクトル測定によって分離の程度を検討した。その結果、ラマンスペクトルでは金属と半導体が分離されているように見えても、実際には分離がなされていないということが明らかとなった。そして、この分離の際に、水の電気分解が起こるなど、他の誘電泳動以外の効果も考慮する必要があることが判明した。そして、印加電圧、チャネル幅は高さ、電極の構造など単層CNTの分離に関する重要な指標を得ることが出来た。上記の知見は、単層CNTの分離に関する重要な方向性を与え、今後の超小型トランジスタなどを含むLSIなどナノデバイスへの発展に大きな寄与をするものと期待される。
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ナノカーボン材料-夢ふくらむ新素材-
纳米碳材料——充满梦想的新材料——
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K.Hino, H.Nakano, N.Ito, M.Matsushita, H.Takagi, N.Nishi, A.Nakamura et al., T.Saito et al., H.Ago et al., H.Ago 他, H.Ago 他, 吾郷 浩樹 他, 産業技術総合研究所]
通讯作者:
産業技術総合研究所
ナノスケールの熱センサおよび加熱プローブ
纳米级热传感器和加热探头
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Nonlinear optical response and relaxation dynamics in double-walled carbon nanotubes
双壁碳纳米管的非线性光学响应和弛豫动力学
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
Journal of Luminescence (in press)
影响因子:
--
作者:
[K.Hino, H.Nakano, N.Ito, M.Matsushita, H.Takagi, N.Nishi, A.Nakamura et al.]
通讯作者:
A.Nakamura et al.
Synthesis of horizontally-aligned single-walled carbon nanotubes with controllable density and polarized Raman spectroscopy
密度可控的水平排列单壁碳纳米管的合成和偏振拉曼光谱
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
Journal of Physical Chemistry B (in press)
影响因子:
--
作者:
[K.Hino, H.Nakano, N.Ito, M.Matsushita, H.Takagi, N.Nishi, A.Nakamura et al., T.Saito et al.]
通讯作者:
T.Saito et al.
担持触媒を用いたカーボンナノチューブの成長と生成機構
使用负载型催化剂的碳纳米管的生长和生产机制
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
NEW DIAMOND(ニューダイヤモンドフォーラム編) 75
影响因子:
--
作者:
[K.Hino, H.Nakano, N.Ito, M.Matsushita, H.Takagi, N.Nishi, A.Nakamura et al., T.Saito et al., H.Ago et al., H.Ago 他, H.Ago 他, 吾郷 浩樹 他]
通讯作者:
吾郷 浩樹 他
共 8 条
次世代半導体を目指した二次元物質の成長機構の学理と集積化技術の開発
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批准号:24H00407
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$30.62万
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财政年份:2024
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负责人:吾郷 浩樹
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依托单位:
Novel magnetic tunneling junction devices with layer number-controlled hexagonal boron nitride sheets
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批准号:23K17863
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2023
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负责人:吾郷 浩樹
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依托单位:
次元性を超えたナノカーボン材料の制御合成と応用研究
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批准号:18F18055
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2018
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负责人:吾郷 浩樹
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依托单位:
半導体デバイス応用を目指したグラフェンナノリボンの創製
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批准号:13F03352
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2013
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负责人:吾郷 浩樹
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依托单位:
シリコンデバイスとの融合を可能にする水平配向カーボンナノチューブの創製
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批准号:21310074
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$12.06万
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财政年份:2009
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负责人:吾郷 浩樹
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依托单位:
海外基金