半導体デバイス応用を目指したグラフェンナノリボンの創製
半導体デバイス応用を目指したグラフェンナノリボンの創製
批准号:
13F03352
负责人:
吾郷 浩樹
金额:
$1.47万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2016-03-31
中文摘要
グラフェンは、高い移動度と光透過性、機械的柔軟性といった特徴をもつことから、フレキシブル/ウェアラブルデバイスや高周波デバイス、センサーなどといった多様な応用研究が活発に行なわれている。一方、グラフェンがバンドギャップを持たないことがこれらの応用研究の妨げになっている。本研究は、バンドギャップを開くためにグラフェンナノリボンをトップダウンで調製する方法を開発すること、そしてそれを用いてデバイスを作製して、優れた特性を得ることでグラフェンデバイスの可能性を示すことを目的としている。前年度までの研究では、金属ナノ粒子の異方性エッチングというユニークな手法を用いることで、グラフェンシートからグラフェンナノリボンを高密度かつ高配向に作製する方法を開発した。さらに、この高配向グラフェンナノリボンの化学修飾による電気特性の制御について研究を行い、極性制御に有効なドーパント物質を特定した。当該年度は、グラフェンの極性制御をさらに発展させ、より高度な制御方法の開発を主眼とした研究を行なった。グラフェンの電子状態を化学ドーピングで制御する研究は既に多数あるが、これを動的に制御する方法は知られていなかった。我々は、様々な検討を行い、ピペリジン分子でグラフェンを化学修飾することによって、グラフェンのドーピングレベルがゲート電圧で動的に制御できることを初めて見出した。具体的には、n型ドーパントであるピペリジンをグラフェン表面に吸着させ、それにゲート電圧をかけることで、電荷中性点をチューニングすることを可能にした。このドーピング制御は可逆であり、グラフェンの光エレクトロニクスや不揮発性メモリ等への応用の新たな方向性を示すものと期待している。この他にも、グラフェンシート内のグレイン構造の可視化やフレキシブル歪みセンサーに関わる研究にも携わり、グラフェン合成・応用の基礎的研究にも寄与した。
英文摘要
グラフェンは、高い移動度と光透過性、機械的柔軟性といった特徴をもつことから、フレキシブル/ウェアラブルデバイスや高周波デバイス、センサーなどといった多様な応用研究が活発に行なわれている。一方、グラフェンがバンドギャップを持たないことがこれらの応用研究の妨げになっている。本研究は、バンドギャップを開くためにグラフェンナノリボンをトップダウンで調製する方法を開発すること、そしてそれを用いてデバイスを作製して、優れた特性を得ることでグラフェンデバイスの可能性を示すことを目的としている。前年度までの研究では、金属ナノ粒子の異方性エッチングというユニークな手法を用いることで、グラフェンシートからグラフェンナノリボンを高密度かつ高配向に作製する方法を開発した。さらに、この高配向グラフェンナノリボンの化学修飾による電気特性の制御について研究を行い、極性制御に有効なドーパント物質を特定した。当該年度は、グラフェンの極性制御をさらに発展させ、より高度な制御方法の開発を主眼とした研究を行なった。グラフェンの電子状態を化学ドーピングで制御する研究は既に多数あるが、これを動的に制御する方法は知られていなかった。我々は、様々な検討を行い、ピペリジン分子でグラフェンを化学修飾することによって、グラフェンのドーピングレベルがゲート電圧で動的に制御できることを初めて見出した。具体的には、n型ドーパントであるピペリジンをグラフェン表面に吸着させ、それにゲート電圧をかけることで、電荷中性点をチューニングすることを可能にした。このドーピング制御は可逆であり、グラフェンの光エレクトロニクスや不揮発性メモリ等への応用の新たな方向性を示すものと期待している。この他にも、グラフェンシート内のグレイン構造の可視化やフレキシブル歪みセンサーに関わる研究にも携わり、グラフェン合成・応用の基礎的研究にも寄与した。
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DOI:
10.1016/j.carbon.2014.07.010
发表时间:
2014-11
期刊:
Carbon
影响因子:
10.9
作者:
[H. Ago;Yasumichi Kayo;P. Solís-Fernández;Kazuma Yoshida;M. Tsuji]
通讯作者:
H. Ago;Yasumichi Kayo;P. Solís-Fernández;Kazuma Yoshida;M. Tsuji
グラフェンのフレキシブル歪みセンサーへの応用
石墨烯在柔性应变传感器中的应用
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[仲村渠翔,P. Solis Fernandez, A. Sukma, Aji,吾郷浩樹]
通讯作者:
Aji,吾郷浩樹
DOI:
10.1021/acsnano.5b05879
发表时间:
2016-03-01
期刊:
ACS NANO
影响因子:
17.1
作者:
[Ago, Hiroki, Fukamachi, Satoru, Tsuji, Masaharu]
通讯作者:
Tsuji, Masaharu
Controlled doping in densely aligned graphene nanoribbons by covalent functionalization(高密度・高配向グラフェンナノリボンの化学修飾によるドーピング制御)
通过共价功能化控制密集排列的石墨烯纳米带的掺杂
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[P. Solis-Fernández, M. A. Bissett, M. Tsuji, H. Ago]
通讯作者:
H. Ago
DOI:
10.1016/j.carbon.2014.08.015
发表时间:
2014-11
期刊:
Carbon
影响因子:
10.9
作者:
[R. Rozada;P. Solís-Fernández;J. I. Paredes;A. Martínez-Alonso;H. Ago;J. Tascón]
通讯作者:
R. Rozada;P. Solís-Fernández;J. I. Paredes;A. Martínez-Alonso;H. Ago;J. Tascón
共 15 条
次世代半導体を目指した二次元物質の成長機構の学理と集積化技術の開発
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批准号:24H00407
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$30.62万
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财政年份:2024
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负责人:吾郷 浩樹
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依托单位:
Novel magnetic tunneling junction devices with layer number-controlled hexagonal boron nitride sheets
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批准号:23K17863
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2023
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负责人:吾郷 浩樹
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依托单位:
次元性を超えたナノカーボン材料の制御合成と応用研究
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批准号:18F18055
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2018
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负责人:吾郷 浩樹
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依托单位:
シリコンデバイスとの融合を可能にする水平配向カーボンナノチューブの創製
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批准号:21310074
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$12.06万
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财政年份:2009
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负责人:吾郷 浩樹
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依托单位:
マイクロ空間におけるカーボンナノチューブのプロセッシング
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批准号:16710087
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2004
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负责人:吾郷 浩樹
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依托单位:
海外基金