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Si量子ドットの表面構造と高機能化:量子収率80%,熱水(80℃)の耐久性を超え

Si量子ドットの表面構造と高機能化:量子収率80%,熱水(80℃)の耐久性を超え
硅量子点的表面结构和高功能性:量子产率达80%,超过热水耐久性(80℃)
批准号:
23K23177
负责人:
齋藤 健一
金额:
$4.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-02-28 至 2026-03-31
关键词:

项目摘要

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安心で高い耐久性を有する量子ドットLED:植物から学ぶ
  • 批准号:
    23K17348
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
  • 资助金额:
    $16.64万
  • 财政年份:
    2023
  • 负责人:
    齋藤 健一
  • 依托单位:
Si量子ドットの表面構造と高機能化:量子収率80%,熱水(80℃)の耐久性を超え
  • 批准号:
    22H01909
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $11.07万
  • 财政年份:
    2022
  • 负责人:
    齋藤 健一
  • 依托单位:
光の三原色と白色で発光するナノシリコン -量子収率40%超えとEL素子開発-
  • 批准号:
    23651114
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额:
    $2.41万
  • 财政年份:
    2011
  • 负责人:
    齋藤 健一
  • 依托单位:
強光子場におけるナノ物質生成の3次元反応解析
  • 批准号:
    21350015
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $10.4万
  • 财政年份:
    2009
  • 负责人:
    齋藤 健一
  • 依托单位: