安心で高い耐久性を有する量子ドットLED:植物から学ぶ
安心高耐用的量子点LED:向植物学习
基本信息
- 批准号:23K17348
- 负责人:
- 金额:$ 16.64万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-06-30 至 2027-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
齋藤 健一其他文献
Superatom Chemistry of Caged Silicon Nanoclusters
笼状硅纳米团簇的超原子化学
- DOI:
- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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Atsushi Nakajima
Si微粒子の比表面積とダングリングボンド : メカノケミカル法による生成
Si颗粒的比表面积和悬挂键:通过机械化学方法生成
- DOI:
- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
上田 大樹;齋藤 健一 - 通讯作者:
齋藤 健一
From the structure and property of supercritical fluids to a quantum dot LED
从超临界流体的结构和性质到量子点LED
- DOI:
10.11470/oubutsu.89.1_13 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Ono Taisei;Xu Yuping;Sakata Toshiki;Saitow Ken-ichi;齋藤 健一 - 通讯作者:
齋藤 健一
P3HT/Si ナノ結晶ハイブリッドフィルムの光伝導ダイナミクス
P3HT/Si纳米晶杂化薄膜的光电导动力学
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
加治屋 大介;齋藤 健一 - 通讯作者:
齋藤 健一
齋藤 健一的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('齋藤 健一', 18)}}的其他基金
Si量子ドットの表面構造と高機能化:量子収率80%,熱水(80℃)の耐久性を超え
硅量子点的表面结构和高功能性:量子产率达80%,超过热水耐久性(80℃)
- 批准号:
23K23177 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 16.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Si量子ドットの表面構造と高機能化:量子収率80%,熱水(80℃)の耐久性を超え
硅量子点的表面结构和高功能性:量子产率达80%,超过热水耐久性(80℃)
- 批准号:
22H01909 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 16.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
光の三原色と白色で発光するナノシリコン -量子収率40%超えとEL素子開発-
发出光和白三基色光的纳米硅 - 量子产率超过 40% 和 EL 器件开发 -
- 批准号:
23651114 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 16.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
強光子場におけるナノ物質生成の3次元反応解析
强光子场纳米材料生产的三维反应分析
- 批准号:
21350015 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 16.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
超臨界流体とレーザーで創製される光るシリコンナノ粒子の発光効率と粒子サイズの相関
使用超临界流体和激光产生的发光硅纳米粒子的发光效率和粒径之间的相关性
- 批准号:
16685001 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 16.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
超臨界流体とレーザーアブレーションで創製する光の3原色で発光するナノクラスター
使用超临界流体和激光烧蚀产生的发出三基色光的纳米团簇
- 批准号:
15655003 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 16.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
超臨界領域の気液曲線延長線付近における分子立体配座および二量体の構造
超临界区气液曲线延伸附近的分子构象和二聚体结构
- 批准号:
13740321 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 16.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
低次元半導体中の電子状態、量子サイズ効果及び、非線形共鳴散乱現象の解明。
阐明低维半导体中的电子态、量子尺寸效应和非线性共振散射现象。
- 批准号:
98J00170 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 16.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
LB法により組織化された低次元半導体中における量子化機構の解明と制御に関する研究
LB方法阐明和控制低维半导体量子化机制的研究
- 批准号:
97J07019 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 16.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
低次元半導体における高密度励起子の協力現象の観測
低维半导体中高密度激子协同现象的观察
- 批准号:
09740235 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 16.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)