Functional Extension of Nitride Semiconductors by Epitaxial Integration of Novel Materials

通过新型材料的外延集成扩展氮化物半导体的功能

基本信息

  • 批准号:
    23KK0094
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 13.48万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Fund for the Promotion of Joint International Research (International Collaborative Research)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-09-08 至 2027-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

小林 篤其他文献

スパッタ再成長高濃度縮退n+-GaNオーミックコンタクトAlN/AlxGa1-xN HEMTの特性評価
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  • DOI:
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
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コヒーレントAlN/AlGaNヘテロ構造の作製とトランジスタ応用
相干AlN/AlGaN异质结构的制备及晶体管应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
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    0
  • 作者:
    前田 亮太;上野 耕平;小林 篤;藤岡 洋
  • 通讯作者:
    藤岡 洋
ニホンライチョウに寄生するコクシジウムの寒冷地における生態および分子系統樹解析.
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  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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小林 篤的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('小林 篤', 18)}}的其他基金

窒化物半導体・超伝導体融合素子作製のための基盤技術構築
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    2021
  • 资助金额:
    $ 13.48万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    08J03834
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 13.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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    05J11748
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 13.48万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    X46095-----88510
  • 财政年份:
    1971
  • 资助金额:
    $ 13.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)

相似国自然基金

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  • 批准年份:
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  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目

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III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
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    23K21082
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    2024
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  • 批准号:
    24KJ0297
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    2024
  • 资助金额:
    $ 13.48万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    23K22815
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.48万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
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  • 批准号:
    23K23238
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.48万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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氮化物半导体选择性极性反转技术的构建及其在n型和p型区域同时形成中的应用研究
  • 批准号:
    24H00425
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
光量子コンピューティング用窒化物半導体モノリシック光集積デバイスに関する研究
用于光量子计算的氮化物半导体单片光集成器件研究
  • 批准号:
    23K26572
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究
氮化物半导体晶体生长中三维晶格匹配外延的追求
  • 批准号:
    24K01366
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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阐明氮化物半导体的热电特性和性能改进,以有效利用半导体器件废热
  • 批准号:
    23K26148
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
希薄窒化物半導体の光・電子・スピン機能性が拓く室温光スピントロニクスの新展開
稀氮化物半导体的光学、电子和自旋功能开发的室温光学自旋电子学新进展
  • 批准号:
    24K00913
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

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