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熱力学に基づく原料分子制御による組成制御されたInGaN混晶厚膜の創製
基于热力学控制原料分子创建成分控制的InGaN混晶厚膜
基本信息
- 批准号：24K01579
- 负责人：
- 金额：$ 11.9万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2024
- 资助国家：日本
- 起止时间：2024-04-01 至 2027-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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