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熱力学に基づく原料分子制御による組成制御されたInGaN混晶厚膜の創製

熱力学に基づく原料分子制御による組成制御されたInGaN混晶厚膜の創製
基于热力学控制原料分子创建成分控制的InGaN混晶厚膜
批准号:
24K01579
负责人:
村上 尚
金额:
$11.9万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-04-01 至 2027-03-31
关键词:

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Creation of ultra-low defect gallium nitride crystals using a novel hybrid-type high-speed vapor phase epitaxy
低温バッファ層ナノ結晶制御によるIII族窒化物半導体高品質結晶成長
細胞増殖および癌化におけるグルコーストランスポーター遺伝子活性化機構の解析
  • 批准号:
    07770106
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.7万
  • 财政年份:
    1995
  • 负责人:
    村上 尚
  • 依托单位:
細胞増殖および癌化におけるグルコーストランスポーター遺伝子活性化機構の解析
  • 批准号:
    05770100
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.58万
  • 财政年份:
    1993
  • 负责人:
    村上 尚
  • 依托单位: