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Creation of ultra-low defect gallium nitride crystals using a novel hybrid-type high-speed vapor phase epitaxy
使用新型混合型高速气相外延制造超低缺陷氮化镓晶体
基本信息
- 批准号：23K17743
- 负责人：
- 金额：$ 4.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-06-30 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
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纐纈 明伯
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
竹川 直;引田 和弘;松田 華蓮;林田 直人;村上 尚;熊谷 義直;纐纈 明伯 - 通讯作者：
纐纈 明伯
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熱力学に基づく原料分子制御による組成制御されたInGaN混晶厚膜の創製
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- 批准号：
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- 批准号：
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