Creation of ultra-low defect gallium nitride crystals using a novel hybrid-type high-speed vapor phase epitaxy
使用新型混合型高速气相外延制造超低缺陷氮化镓晶体
基本信息
- 批准号:23K17743
- 负责人:
- 金额:$ 4.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-06-30 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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- 影响因子:0
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