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Creation of ultra-low defect gallium nitride crystals using a novel hybrid-type high-speed vapor phase epitaxy

Creation of ultra-low defect gallium nitride crystals using a novel hybrid-type high-speed vapor phase epitaxy
使用新型混合型高速气相外延制造超低缺陷氮化镓晶体
批准号：
23K17743
负责人：
村上 尚
金额：
$4.08万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-06-30 至 2026-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K17743/
关键词：
エピタキシャル成長窒化ガリウム転位低転位密度ハライド気相成長

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熱力学に基づく原料分子制御による組成制御されたInGaN混晶厚膜の創製
低温バッファ層ナノ結晶制御によるIII族窒化物半導体高品質結晶成長
細胞増殖および癌化におけるグルコーストランスポーター遺伝子活性化機構の解析
  • 批准号：
    07770106
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.7万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    村上 尚
  • 依托单位：
    The University of Tokushima
細胞増殖および癌化におけるグルコーストランスポーター遺伝子活性化機構の解析
  • 批准号：
    05770100
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1993
  • 负责人：
    村上 尚
  • 依托单位：
    The University of Tokushima
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