Development of Organic-Semiconductor-Based Thin-Film Thermoelectric Devices

有机半导体薄膜热电器件的开发

• 批准号: 24655174
• 负责人: ADACHI Chihaya
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24655174/
• 关键词: 有機熱電素子; P3HT; PCBM; 有機発熱素子; 導電性高分子; F4TCNQ

In this study, we prepared a thin film of poly(3-hexylthiophene) doped with 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane for a p-type thermoelectric device and successfully obtained a power factor of 30W/mK2 after thermal aging. XRD analysis clarified that a high crystalline structure of P3HT was maintained even after the doping, leading to high PF. In addition, we prepared a thin film of PCBM doped with N-DMBI for an n-type thermoelectric device. Further, we prepared a prototype p-n module having four p-n element pairs, resulted in the output power of 1.2 nW with the temperature gradient of 5 deg.

在本研究中，我们制备了掺杂2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰喹诺二甲烷的聚（3-己基噻吩）薄膜，用于p型热电器件，并成功地获得了热老化后的功率因数为30&#61549；W/mK2。XRD分析表明，P3HT在掺杂后仍然保持了较高的晶体结构，从而获得了较高的PF。此外，我们制备了掺杂N-DMBI的PCBM薄膜，用于n型热电器件。此外，我们还制作了一个具有4对p-n元件的原型p-n模块，其输出功率为1.2 nW，温度梯度为5度。

项目成果

有機分子のナノ構造・n配向が作り出す次世代有機熱電デバイス

由有机分子的纳米结构和n取向创建的下一代有机热电器件

• 发表时间: 2013
• 期刊: グリーンテクノロジー
• 作者: 宮崎康次;安達千波矢
• 通讯作者: 安達千波矢

有機分子の名の構造･ｎ配向制御が作り出す次世代有機熱電デバイス

通过控制有机分子的结构和n取向创建的下一代有机热电器件

• 发表时间: 2013
• 期刊: クリーンテクノロジー
• 作者: 宮崎康次;安達千波矢
• 通讯作者: 安達千波矢

Flexible Porous Bismuth Telluride Thin Films with Enhanced Figure of Merit using Micro-Phase Separation of Block Copolymer

• DOI: 10.1002/admi.201300015
• 发表时间: 2014-04-01
• 期刊: ADVANCED MATERIALS INTERFACES
• 影响因子: 5.4
• 作者: Kato, Kunihisa;Hatasako, Yoshika;Miyazaki, Koji
• 通讯作者: Miyazaki, Koji

ナノ構造を有する基板を用いた熱電変換材料、およびその製造方法

使用纳米结构基板的热电转换材料及其制造方法

• 发表时间: 2013

ナノ構造を有する基盤を用いた熱電変換材料、及びその製造方法

使用纳米结构基板的热电转换材料及其制造方法

• 发表时间: 2013