Printable organic-inorganic hybrid semiconductors for high-mobility and short-channel thin-film transistors

用于高迁移率和短沟道薄膜晶体管的可印刷有机-无机混合半导体

• 批准号: 24656213
• 负责人: NAITO Hiroyoshi
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Osaka Prefecture University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24656213/
• 关键词: 有機トランジスタ; 塗布プロセス; ナノ粒子; 有機・無機ハイブリッド; C8-BTBT; 短チャネル; 有機・無期ハイブリッド

The device characteristic in which mobility exceeds 1 cm^2/Vs at the short channel length about 5 \mu m is necessary for practical use of organic thin film transistors. In thin film transistors with top-gate configuration and with channel length of 5 \mu m fabricated using a newly developed organic semiconductor, we have obtained the highest field effect mobility of 1.5 cm^2/Vs in the linear regime of the top-gate transistors. We stress that we have achieved the target value for the field-effect mobility and thereby we have opened new era for the application of organic thin-film transistors

在约5 μ m的短沟道长度下迁移率超过1 cm^2/Vs的器件特性对于有机薄膜晶体管的实际应用是必需的。在薄膜晶体管与顶栅配置和沟道长度为5 \μ m制造使用新开发的有机半导体，我们已经获得了最高的场效应迁移率为1.5 cm^2/Vs的线性制度的顶栅晶体管。我们强调，我们已经达到了场效应迁移率的目标值，从而为有机薄膜晶体管的应用开辟了新的时代

项目成果

Device performance of top-gate organic transistors with embedded electrodes: Effects of thin and planar C8-BTBT layer on FET characteristics

具有嵌入式电极的顶栅有机晶体管的器件性能：薄且平面的 C8-BTBT 层对 FET 特性的影响

• 发表时间: 2013
• 作者: Y. Kimura;T. Nagase;T. Kobayashi;K. Takimiya;M. Ikeda;H. Naito
• 通讯作者: H. Naito

埋め込み型のソース・ドレイン電極を有した塗布型有機電界効果トランジスタ

具有嵌入式源极和漏极的涂层有机场效应晶体管

• 发表时间: 2013
• 作者: 木村 友;永瀬 隆;小林隆史;瀧宮和男;池田征明;内藤裕義
• 通讯作者: 内藤裕義

The Influence of Gate Insulator Dipoles on Charge Transport in Solution-Processed Top-Gate Organic Field-Effect Transistors with High Mobility and Operational Stability

栅极绝缘体偶极子对高迁移率和工作稳定性的溶液加工顶栅有机场效应晶体管中电荷传输的影响

• 发表时间: 2012
• 作者: K. Takagi;T. Nagase;T. Kobayashi;and H. Naito
• 通讯作者: and H. Naito

Low Voltage Operation of Organic Field-Effect Transistors with Embedded Electrodes

具有嵌入式电极的有机场效应晶体管的低电压操作

• 发表时间: 2013
• 期刊: Proceedings of the 20th International Display Workshop
• 作者: Y. Kimura;T. Nagase;T. Kobayashi;K. Takimiya;M. Ikeda;H. Naito
• 通讯作者: H. Naito

Angular distribution of field-effect mobility in oriented poly[5,50-bis(3-dodecyl-2-thienyl)-2,20- bithiophene] fabricated by roll-transfer printing

辊转印法制备的定向聚[5,50-双(3-十二烷基-2-噻吩基)-2,20-联噻吩]场效应迁移率的角分布

• 发表时间: 2014
• 期刊: Appl. Phys. Lett
• 作者: T. Kushida;T. Nagase;H. Naito
• 通讯作者: H. Naito