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A novel solar cell using Si nano-crystals
使用硅纳米晶体的新型太阳能电池
基本信息
- 批准号：24656210
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（2）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
微結晶Siペーストのアニールによる結晶性回復とその評価
微晶硅浆料退火结晶度恢复及其评价
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：井ノ口 裕士;原田 駿; 奥山 勇治;松本 広重;田中 悟;加藤 喜峰
- 通讯作者：加藤 喜峰
Si ミリング中の雰囲気制御による電気伝導性の向上
通过控制硅铣削过程中的气氛来提高导电性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：折田 昂優;原田 駿 上岡 貞登、松本 広重、加藤 喜峰、奥山 勇治
- 通讯作者：原田 駿 上岡 貞登、松本 広重、加藤 喜峰、奥山 勇治
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- 作者：
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- 作者：
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KATO Yoshimine其他文献
Removal of Oxides and Surface Texturization of Crystalline Si Wafer by Ion Beam Etching
离子束刻蚀去除晶体硅片的氧化物和表面织构化
- DOI：
10.12783/dtcse/ccme2018/28659 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
LI Yan;KATO Yoshimine - 通讯作者：
KATO Yoshimine
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{{ truncateString('KATO Yoshimine', 18)}}的其他基金
A diamond thin film growth on SiC buffer layer on a Si substrate
Si 衬底上 SiC 缓冲层上生长金刚石薄膜
- 批准号：
21560334 - 财政年份：2009
- 资助金额：
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- 批准号：
24H00312 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
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- 批准号：
24K07603 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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多孔碳上硅与热解碳包覆合成锂离子电池负极材料
- 批准号：
24K08589 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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单晶硅互锁多排微V型槽结构线性平台
- 批准号：
24K07255 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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阐明高压相变开发的硅锗合金的晶体多态性和新的物理性能
- 批准号：
23K26405 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)