A diamond thin film growth on SiC buffer layer on a Si substrate
A diamond thin film growth on SiC buffer layer on a Si substrate
Si 衬底上 SiC 缓冲层上生长金刚石薄膜
批准号：
21560334
负责人：
KATO Yoshimine
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2011
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英文摘要
The purpose of this research is to use low cost Si substrate for fabricating future power devices using nanocrystalline diamond (NCD) on SiC/Si substrate. We have succeeded in fabricating pn diode using n-type NCD film on a SiC film grown on p-type Si substrate.
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SiC and nanocrystalline diamond coating on Si substrates fabricated by microwave plasma CVD
微波等离子体 CVD 在硅基体上制备碳化硅和纳米晶金刚石涂层
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DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Proc.of 16th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams
影响因子：
--
作者：
[Yoshimine Kato, etc.]
通讯作者：
etc.
半導体基板上へのナノダイヤモンド成膜とダイオード特性に関する研究
半导体衬底上纳米金刚石成膜及二极管特性研究
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DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M.K.Ahmad, K.Murakami, 天野僚 ,五 島正基,加藤喜峰,堤井君元]
通讯作者：
天野僚 ,五 島正基,加藤喜峰,堤井君元
Growth and electrical properties of 3C-SiC/nanocrystalline diamond layered films
3C-SiC/纳米晶金刚石层状薄膜的生长和电学性能
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DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys
影响因子：
--
作者：
[Akira KOGA, Kungen TEII, Masaki GOTO, Kazuhiro YAMADA, and Yoshimine KATO]
通讯作者：
and Yoshimine KATO
p型4H‐SiC／n型ナノクリスタルダイヤモンド ダイオードの高温動作
p型4H-SiC/n型纳米晶金刚石二极管的高温工作
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DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[天野 僚，五島 正基，下田尚孝, 加藤 喜峰，堤井 君元]
通讯作者：
加藤 喜峰，堤井 君元
ナノクリスタルダイヤモンド薄膜のオーミック電極特性
纳米晶金刚石薄膜的欧姆电极特性
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DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[下田尚孝, 加藤喜峰, 堤井君元]
通讯作者：
堤井君元
共 18 条
A novel solar cell using Si nano-crystals
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批准号：24656210
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2012
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负责人：KATO Yoshimine
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依托单位：
海外基金