A diamond thin film growth on SiC buffer layer on a Si substrate

Si 衬底上 SiC 缓冲层上生长金刚石薄膜

• 批准号: 21560334
• 负责人: KATO Yoshimine
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560334/
• 关键词: 電気・電子材料(半導体、誘電体、磁性体、超誘電体、有機物、絶縁体、超伝導体など); 結晶成長; シリコンカーバイド; ナノ結晶ダイヤモンド; マイクロ波プラズマＣＶＤ; ＳｉＣ; 電気・電子材料; ダイヤモンド; CVD; SiC; ナノ結晶; マイクロ波

The purpose of this research is to use low cost Si substrate for fabricating future power devices using nanocrystalline diamond (NCD) on SiC/Si substrate. We have succeeded in fabricating pn diode using n-type NCD film on a SiC film grown on p-type Si substrate.

本研究的目的是使用低成本的硅衬底来制造未来的功率器件，该功率器件使用SiC/Si衬底上的纳米金刚石（NCD）。我们已经成功地制作pn二极管使用n型NCD膜上的SiC膜生长在p型Si衬底上。

项目成果

SiC and nanocrystalline diamond coating on Si substrates fabricated by microwave plasma CVD

微波等离子体 CVD 在硅基体上制备碳化硅和纳米晶金刚石涂层

• 发表时间: 2009
• 期刊: Proc.of 16th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams
• 作者: Yoshimine Kato;etc.
• 通讯作者: etc.

半導体基板上へのナノダイヤモンド成膜とダイオード特性に関する研究

半导体衬底上纳米金刚石成膜及二极管特性研究

• 发表时间: 2011
• 作者: M.K.Ahmad;K.Murakami;天野僚 ,五 島正基,加藤喜峰,堤井君元
• 通讯作者: 天野僚 ,五 島正基,加藤喜峰,堤井君元

Growth and electrical properties of 3C-SiC/nanocrystalline diamond layered films

3C-SiC/纳米晶金刚石层状薄膜的生长和电学性能

• 发表时间: 2011
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys
• 作者: Akira KOGA;Kungen TEII;Masaki GOTO;Kazuhiro YAMADA;and Yoshimine KATO
• 通讯作者: and Yoshimine KATO

p型4H‐SiC／n型ナノクリスタルダイヤモンド ダイオードの高温動作

p型4H-SiC/n型纳米晶金刚石二极管的高温工作

• 作者: 天野 僚，五島 正基，下田尚孝;加藤 喜峰，堤井 君元
• 通讯作者: 加藤 喜峰，堤井 君元

ナノクリスタルダイヤモンド薄膜のオーミック電極特性

纳米晶金刚石薄膜的欧姆电极特性

• 发表时间: 2013
• 作者: 下田尚孝;加藤喜峰;堤井君元
• 通讯作者: 堤井君元