Improvement of mobility for CVD graphene by removing catalytic metal

通过去除催化金属提高 CVD 石墨烯的迁移率

• 批准号: 24656456
• 负责人: NAGASHIO Kosuke
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24656456/
• 关键词: グラフェン; CVD; 単結晶; 高移動度; Cu; MICA

CVD growth of graphene is simple and effective way for graphene synthesis. In this study, mica(001) substrate was used to obtain the single crystal graphene, instead of Al2O3 and MgO. The Cu deposition of 800 nm in thickness was carried out on mica. After the H2 annealing at 1000 C, the surface roughness was reduced to 0.5 nm (RMS), which indicates very smooth surface for graphene growth. Based on the precise control of H2/Ar gas flow, high quality graphene could be grown on Cu. This was confirmed by Raman. The mobility of measured device was ~4500 cm2/Vs.

CVD法生长石墨烯是制备石墨烯的一种简单有效的方法。在本研究中，云母（001）衬底被用来获得单晶石墨烯，而不是Al 2 O3和MgO。在云母上进行厚度为800 nm的Cu沉积。在1000 ℃下H2退火后，表面粗糙度降低至0.5nm（RMS），这表明石墨烯生长的非常光滑的表面。通过对H2/Ar气体流量的精确控制，可以在Cu衬底上生长出高质量的石墨烯。这一点得到了拉曼光谱的证实。测量的器械的迁移率为~4500 cm 2/Vs。

项目成果

東京大学マテリアル工学専攻長汐研究室

东京大学材料工学部长潮实验室

CH_4-CVD単層グラフェン成長におけるH_2流量効果

H_2流量对CH_4-CVD单层石墨烯生长的影响

• 发表时间: 2013
• 作者: 斉鈞雷;長汐晃輔;西村知紀;鳥海明
• 通讯作者: 鳥海明

The crystal orientation relation and macroscopic surface roughness in hetero-epitaxial graphene grown on Cu/mica

• DOI: 10.1088/0957-4484/25/18/185602
• 发表时间: 2014-03
• 期刊: Nanotechnology
• 影响因子: 3.5
• 作者: Junlei Qi;Junlei Qi;K. Nagashio;T. Nishimura;A. Toriumi

Crystal orientation relation and macroscopic surface roughness in hetero-epitaxially grown graphene on Cu/mica

Cu/云母上异质外延生长石墨烯的晶体取向关系和宏观表面粗糙度

• 发表时间: 2014
• 期刊: nanotechnology
• 影响因子: 3.5
• 作者: J. L. Qi;K. Nagashio;T. Nishimura;and A. Toriumi
• 通讯作者: and A. Toriumi

Epitaxial CVD graphene growth on Cu/mica for gate stack research

用于栅极堆叠研究的铜/云母上外延 CVD 石墨烯生长

• 发表时间: 2013
• 作者: J. L. Qi;K. Nagashio;W. Liu;T. Nishimura and A. Toriumi
• 通讯作者: T. Nishimura and A. Toriumi