Increase in off current of bilayer graphene by band gap engineering caused by external electrostatic field

通过外部静电场引起的带隙工程增加双层石墨烯的截止电流

• 批准号: 21710136
• 负责人: NAGASHIO Kosuke
• 金额: $ 3万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21710136/
• 关键词: ナノ電子デバイス; グラフェン電界効果トランジスタ; グラフェン; 電界効果; トランジスタ; ゲート絶縁膜; 移動度

Graphene-based devices are promising candidates for future high-speed filed effect transistors (FETs). To make the best use of the high performance of graphene channel, achieving the lowcontact resistivity (ρC) between graphene and metal is most important. The purpose of this work is to determine the current flow path at the graphene/metal contact. The experimental results indicate that ρC is not characterized by A but by W. Since the resistivity of the metal is much smaller than the graphene resistivity, it can be considered that the current flows preferentially in the metal film, and enters from the metal to graphene at the edge of the contact.

基于石墨烯的器件是未来高速场效应晶体管 (FET) 的有希望的候选者。为了充分利用石墨烯通道的高性能，实现石墨烯与金属之间的低接触电阻率（ρC）至关重要。这项工作的目的是确定石墨烯/金属接触处的电流路径。实验结果表明，ρC不是用A而是用W来表征。由于金属的电阻率远小于石墨烯的电阻率，因此可以认为电流优先在金属膜中流动，并在接触边缘从金属进入到石墨烯。

项目成果

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Contact resistivity and current flow path at metal/graphene contact

• DOI: 10.1063/1.3491804
• 发表时间: 2010-10-04
• 期刊: APPLIED PHYSICS LETTERS
• 影响因子: 4
• 作者: Nagashio, K.;Nishimura, T.;Toriumi, A.
• 通讯作者: Toriumi, A.

グラファイトからグラフェンへ-バンドオーバーラップ減少に伴う電子輸送特性の連続的変化-

从石墨到石墨烯 - 由于能带重叠减少，电子传输特性不断变化 -

• 发表时间: 2009
• 期刊: 応用電子物性分科会誌 15
• 作者: 長汐晃輔;鳥海明
• 通讯作者: 鳥海明

Graphene/metal contact for graphene FET

用于石墨烯 FET 的石墨烯/金属接触

• 发表时间: 2010
• 作者: K.Nagashio;A.Toriumi
• 通讯作者: A.Toriumi

Metal/graphene contact as a performance Killer of ultra-high mobility graphene analysis of intrinsic mobility and contact resistance

• DOI: 10.1109/iedm.2009.5424297
• 发表时间: 2009-12
• 期刊: 2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
• 作者: K. Nagashio;T. Nishimura;K. Kita;A. Toriumi