刷新
{{item.name}}会员
Exploring of new semimetallic half-metals for three terminal devices
三终端器件新型半金属半金属的探索
基本信息
- 批准号：25600070
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（23）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Tailoring MnGa/FeCo interfacial coupling and their effect on spin dependent tunneling in perpendicular magnetic tunnel junctions
定制 MnGa/FeCo 界面耦合及其对垂直磁隧道结中自旋相关隧道效应的影响
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Q. L. Ma;S. Mizukami;X. M. Zhang;Y. Ando;and T. Miyazaki
- 通讯作者：and T. Miyazaki
Interfacial Exchange Coupling of Mn3Ga/Co2FeZ (Z=Al, Si) Heusler Bilayers
Mn3Ga/Co2FeZ (Z=Al, Si) Heusler 双层的界面交换耦合
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Q. L. Ma;S. Mizukami;and T. Miyazaki;R. Ranjbardizaj，S. Mizukami，Q. Ma，A. Sugihara，K. Suzuki，X. Zhang，Y. Ando，T. Miyazaki
- 通讯作者：R. Ranjbardizaj，S. Mizukami，Q. Ma，A. Sugihara，K. Suzuki，X. Zhang，Y. Ando，T. Miyazaki
Mn系垂直磁化薄膜－磁性、磁気緩和、およびトンネル接合－
锰基垂直磁化薄膜 - 磁性、磁弛豫和隧道结 -
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Mizukami;A. Sugihara;Q. L. Ma;X. M. Zhang;T. Miyazaki;水上成美
- 通讯作者：水上成美
Magnetoresistance effect of perpendicularly magnetized tetragonal- or cubic- Mn-Co-Ga Heusler alloy electrode
垂直磁化四方或立方Mn-Co-Ga Heusler合金电极的磁阻效应
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takahide Kubota;Shigemi Mizukami;Hiroshi Naganuma;Mikihiko Oogane;Yasuo Ando;Terunobu Miyazaki
- 通讯作者：Terunobu Miyazaki
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
MIZUKAMI Shigemi其他文献
MIZUKAMI Shigemi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('MIZUKAMI Shigemi', 18)}}的其他基金
Pioneering of terahertz magnetization dynamics
太赫兹磁化动力学的开创性
- 批准号：
24686001 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
相似海外基金
磁気接合における伝導機構の電子論的解明と高性能磁気抵抗素子のデザイン・機能実証
磁性结导电机制的电子阐明以及高性能磁阻元件的设计和功能演示
- 批准号：
24K01346 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高スピン偏極フェリ磁性ホイスラー合金による超高速光駆動磁気抵抗素子の創製
使用高自旋极化亚铁磁赫斯勒合金创建超快光驱动磁阻元件
- 批准号：
24K01335 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
原子層物質スペーサーによる面直電流磁気抵抗素子の高特性化の研究
利用原子层材料隔垫改善垂直电流磁阻元件特性的研究
- 批准号：
17H07376 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
新規スピンギャップレス半導体を用いたトンネル磁気抵抗素子とその電界効果
新型自旋无隙半导体隧道磁阻元件及其电场效应
- 批准号：
17F17063 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
大容量磁気メモリ用単結晶磁気抵抗素子のシリコンウェハー上で開発
开发硅片大容量磁存储器用单晶磁阻元件
- 批准号：
17J01091 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ホイスラー合金層を用いた多結晶面直電流型巨大磁気抵抗素子の高出力化
使用Heusler合金层的高输出多晶直流型巨磁阻元件
- 批准号：
15J00221 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ナノメーターサイズトンネル磁気抵抗素子の作製とクーロンブロッケイド
纳米隧道磁阻元件的制作及库仑封锁
- 批准号：
04J03141 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ナノワイヤーアレイ構造を用いたバリスティック磁気抵抗素子に関する研究
采用纳米线阵列结构的弹道磁阻元件研究
- 批准号：
16760244 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
ホットワイヤーマイクロゾーン法によるInSb系薄膜磁気抵抗素子の多層化
采用热线微区法的多层InSb基薄膜磁阻元件
- 批准号：
61750271 - 财政年份：1986
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
ホットワイヤーマイクロゾーン法による InSb 系薄膜磁気抵抗素子の多層化
采用热线微区法的多层InSb薄膜磁阻元件
- 批准号：
60750266 - 财政年份：1985
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)