Adiabatic approximation violation on electronic structure due to quantum effect of hydrogen
Adiabatic approximation violation on electronic structure due to quantum effect of hydrogen
批准号:
25620009
负责人:
SEKIBA Daiichiro
金额:
$2.66万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2015-03-31
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Ultra high resolution Resonance Inelastic soft X-ray Scattering for Mg2FeH6
Mg2FeH6 超高分辨率共振非弹性软 X 射线散射
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Kurita, D. Sekiba, I. Harayama, K. Chito, Y. Harada, H. Kiuchi, C. Sakai, M. Oshima, K. Sodeyama, Y. Tateyama, R. Sato, M. Matsuo, S. Orimo]
通讯作者:
S. Orimo
水素量子アトミクス研究室(関場研究室)
氢量子原子实验室(关场实验室)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Antithrombogeniciry of Amorphous deuterated carbon film prepared by RF-plasma CVD
射频等离子体CVD制备非晶氘化碳膜的抗血栓作用
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
Nano Biomedinine
影响因子:
--
作者:
[K. Ozeki, D. Sekiba, K.K. Hrakuri, T. Masuzawa]
通讯作者:
T. Masuzawa
Influence of the source gas ratio on the hydrogen and deuterium content of a-C:H and a-C:D films: Plasma-enhanced CVD with CH_4/H_2, CH_4/D_2, CD_4/H_2 and CD_4/D_2
源气配比对a-C:H和a-C:D薄膜氢、氘含量的影响:CH_4/H_2、CH_4/D_2、CD_4/H_2和CD_4/D_2等离子体增强CVD
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
Applied Surface Science
影响因子:
6.7
作者:
[K. Ozeki, D. Sekiba, T. Suzuki, K. Kanda, M. Niibe, K.K. Hirakuri, T. Masuzawa]
通讯作者:
T. Masuzawa
Multi-Phonon Excitations in Fe 2p RIXS on Mg2FeH6
Mg2FeH6 上 Fe 2p RIXS 的多声子激发
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
Journal of The Physical Society of Japan
影响因子:
1.7
作者:
[Keisuke Kurita, Daiichiro Sekiba, Isao Harayama, Kenta Chito, Yoshihisa Harada, Hisao Kiuchi, Masaharu Oshima, Shigeyuki Takagi, Motoaki Matsuo, Ryutaro Sato, Katsutoshi Aoki, and Shin-ichi Orimo]
通讯作者:
and Shin-ichi Orimo
Study on sub-surface dynamics of hydrogen by fast and high-resolution ERDA
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批准号:25286020
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$12.65万
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财政年份:2013
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负责人:SEKIBA Daiichiro
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依托单位:
Investigation and Improvement of nano-super-lattice for hydrogen-storage
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批准号:23710120
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2011
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负责人:SEKIBA Daiichiro
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依托单位:
Development of strain-variable sample holder and application to electronic structure study on strained-Si surface
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批准号:19740178
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.38万
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财政年份:2007
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负责人:SEKIBA Daiichiro
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依托单位:
海外基金