CMOS Radiation Detector Using Arrayed Correlation
使用阵列相关的 CMOS 辐射探测器
基本信息
- 批准号:25630139
- 负责人:
- 金额:$ 1.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2014-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
In this work, a radiation detector using a CMOS chip has been studied. PET as a plastic scintillator generates ultraviolet light, and the light is detected by single-photon avalanche diode (SPAD) implemented on a CMOS chip. A bias voltage generation is very important to improve SPAD sensitivity. A SPAD array is self-calibrated for excluding defect-elements and having high bias voltage. A clock generation is also required to measure a dark count, and it is used for the calibration. A low-power and accurate on-chip clock generator is realized by using only standard cells.
本文研究了一种基于CMOS芯片的辐射探测器。PET作为一种塑料闪烁体产生紫外光,该光由CMOS芯片上的单光子雪崩二极管(SPAD)检测。偏置电压的产生对提高SPAD的灵敏度非常重要。SPAD阵列具有排除缺陷元件和高偏置电压的自校准特性。时钟发生器也需要测量暗计数,并用于校准。采用标准单元实现了低功耗、高精度的片上时钟发生器。
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Dongsheng Yang;Wei Deng;Teerachot Siriburanon,岡田健一;松澤昭
- 通讯作者:松澤昭
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