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Basic study for development of inch-scale diamond wafers

英寸级金刚石晶片开发基础研究

基本信息

批准号：
26600096
负责人：
Tokuda Norio
金额：
$ 2.5万
依托单位：
Kanazawa University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26600096/
关键词：
ダイヤモンド結晶成長

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（29）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

革新的パワーデバイスの実現に向けた半導体ダイヤモンドの研究

用于实现创新功率器件的半导体金刚石研究

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
伊藤　槙哉;叶田　翔平;松本　翼;徳田　規夫;猪熊　孝夫;徳田規夫;徳田規夫
通讯作者：
徳田規夫

球型共振器構造MPCVDによるダイヤモンド(111)膜の高速成長

球腔结构MPCVD高速生长金刚石(111)薄膜

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
馬場一気;金田大輝;渡邊俊介;徳田規夫;猪熊孝夫
通讯作者：
猪熊孝夫

マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンド膜の成長

微波等离子体CVD法生长金刚石薄膜

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
伊藤　槙哉;叶田　翔平;松本　翼;徳田　規夫;猪熊　孝夫;徳田規夫
通讯作者：
徳田規夫

Surface roughening of homoepitaxial diamond (111) films by oxygen addition

加氧对同质外延金刚石（111）薄膜进行表面粗糙化

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ikki Baba;Daiki Kanata;Shunsuke Watanabe;Tohiharu Makino;Masahiko Ogura;Satoshi Yamasaki2;Norio Tokuda;Takao Inokuma
通讯作者：
Takao Inokuma

Self-separation of freestanding diamond films using graphite interlayers precipitated from C-dissolved Ni substrates

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2017.04.014
发表时间：
2017-07
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
S. Ito;M. Nagai;Tsubasa Matsumoto;T. Inokuma;N. Tokuda
通讯作者：
S. Ito;M. Nagai;Tsubasa Matsumoto;T. Inokuma;N. Tokuda

DOI：
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作者：
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作者：
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作者：
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作者：
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Tokuda Norio其他文献

Temperature sensing with RF-dressed states of nitrogen-vacancy centers in diamond

利用金刚石中氮空位中心的射频修饰状态进行温度传感

DOI：
10.1063/5.0129706
发表时间：
2023
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Tabuchi Hibiki;Matsuzaki Yuichiro;Furuya Noboru;Nakano Yuta;Watanabe Hideyuki;Tokuda Norio;Mizuochi Norikazu;Ishi-Hayase Junko
通讯作者：
Ishi-Hayase Junko

教師あり非負値行列因子分解を用いたテキストデータ分析に関する一考察

基于监督非负矩阵分解的文本数据分析研究

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kawase Riku;Kawashima Hiroyuki;Kato Hiromitsu;Tokuda Norio;Yamasaki Satoshi;Ogura Masahiko;Makino Toshiharu;Mizuochi Norikazu;濱田聖，三川健太
通讯作者：
濱田聖，三川健太

ダイヤモンドエレクトロニクスの将来像と結晶材料開発

金刚石电子和晶体材料发展的未来愿景

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yoshida Ryo;Miyata Daisuke;Makino Toshiharu;Yamasaki Satoshi;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Tokuda Norio;徳田規夫;徳田規夫;徳田規夫
通讯作者：
徳田規夫

High performance of diamond p[sup +]-i-n[sup +] junction diode fabricated using heavily doped p[sup +] and n[sup +] layers

使用重掺杂 p[sup ] 和 n[sup ] 层制造的高性能金刚石 p[sup ]-i-n[sup ] 结二极管

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Oyama;S. Ri;H. Kato;M. Ogura;T. Makino;Takeuchi Daisuke;Tokuda Norio;H. Okushi;S. Yamasaki
通讯作者：
S. Yamasaki

Selectively buried growth of heavily B doped diamond layers with step-free surfaces in N doped diamond (1 1 1) by homoepitaxial lateral growth

通过同质外延横向生长在 N 掺杂金刚石 (1 1 1) 中选择性埋入无台阶表面的重 B 掺杂金刚石层

DOI：
10.1016/j.apsusc.2022.153340
发表时间：
2022
期刊：
Applied Surface Science
影响因子：
6.7
作者：
Kobayashi Kazuki;Zhang Xufang;Makino Toshiharu;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Yamasaki Satoshi;Nebel Christoph E.;Tokuda Norio
通讯作者：
Tokuda Norio