Low-loss vertical-type diamond power MOSFET
Low-loss vertical-type diamond power MOSFET
低损耗立式钻石功率MOSFET
批准号：
17H02786
负责人：
Tokuda Norio
金额：
$11.56万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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ダイヤモンド半導体の技術動向と可能性
金刚石半导体的技术趋势和可能性
金刚石半导体的技术趋势和可能性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yoshida Ryo, Miyata Daisuke, Makino Toshiharu, Yamasaki Satoshi, Matsumoto Tsubasa, Inokuma Takao, Tokuda Norio, 徳田規夫, 徳田規夫]
通讯作者：
徳田規夫
Inversion channel MOSFET on lightly impurity doped n-type diamond
轻掺杂 n 型金刚石上的反型沟道 MOSFET
轻掺杂 n 型金刚石上的反型沟道 MOSFET
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Matsumoto, H. Kato, T. Makino, S. Ohmagari, M. Ogura, D. Takeuchi, T. Inokuma, S. Yamasaki and N. Tokuda]
通讯作者：
S. Yamasaki and N. Tokuda
熱化学反応を用いた選択的かつ高速な結晶異方性ダイヤモンドエッチング
利用热化学反应进行选择性和快速晶体各向异性金刚石蚀刻
利用热化学反应进行选择性和快速晶体各向异性金刚石蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[長井 雅嗣，松本 翼，猪熊 孝夫, 徳田 規夫]
通讯作者：
徳田 規夫
反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの実証
反型层沟道金刚石MOSFET演示
反型层沟道金刚石MOSFET演示
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Matsumoto, U. Sakurai, T. Yamakawa, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, S. Yamasaki, T. Inokuma, N. Tokuda, 松本翼，加藤宙光，小山和博，牧野俊晴，小倉政彦，竹内大輔，猪熊孝夫，山崎聡，徳田規夫]
通讯作者：
松本翼，加藤宙光，小山和博，牧野俊晴，小倉政彦，竹内大輔，猪熊孝夫，山崎聡，徳田規夫
ダイヤモンドMOSFET における反転層確認とFET 動作実証
金刚石 MOSFET 中反型层的确认和 FET 操作的演示
金刚石 MOSFET 中反型层的确认和 FET 操作的演示
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[松本翼, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 猪熊孝夫, 徳田規夫, 山崎聡]
通讯作者：
山崎聡
共 10 条
Development of innovative synthesis process of ammonia using diamond
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批准号：17K18980
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$4.16万
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财政年份：2017
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负责人：Tokuda Norio
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依托单位：
Basic study for development of inch-scale diamond wafers
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批准号：26600096
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2014
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负责人：Tokuda Norio
-
依托单位：
海外基金