Nanocluster assisted fast rate SiC epitaxy
纳米团簇辅助快速 SiC 外延
基本信息
- 批准号:26600125
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
High rate and high yield silicon epitaxy by plasma spray CVD under mesoplasma condition
介质条件下等离子喷涂CVD高速率、高产率硅外延
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Akiyama;S. Atsumi;M. Kambara;M. Kambara
- 通讯作者:M. Kambara
Improved production yield in silicon epitaxy by reducing pressure in mesoplasma chemical vapor deposition
- DOI:10.7567/apex.7.086201
- 发表时间:2014-08
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:Sudong Wu;Taiki Iguchi;M. Kambara;T. Yoshida
- 通讯作者:Sudong Wu;Taiki Iguchi;M. Kambara;T. Yoshida
Fast rate and wide area Si epitaxy with improved yield by mesoplasma chemical vapor deposition
通过中间等离子体化学气相沉积提高产量的快速大面积硅外延
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Akiyama;S. Atsumi;M. Kambara;M. Kambara;M. Kambara
- 通讯作者:M. Kambara
Deposition of thick SiC film by cluster-assisted mesoplasma chemical vapor deposition
团簇辅助中间等离子体化学气相沉积沉积SiC厚膜
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Akiyama;S. Atsumi;M. Kambara
- 通讯作者:M. Kambara
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