Nanocluster assisted fast rate SiC epitaxy
Nanocluster assisted fast rate SiC epitaxy
纳米团簇辅助快速 SiC 外延
批准号：
26600125
负责人：
Kambara Makoto
金额：
$2.5万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
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High rate and high yield silicon epitaxy by plasma spray CVD under mesoplasma condition
介质条件下等离子喷涂CVD高速率、高产率硅外延
介质条件下等离子喷涂CVD高速率、高产率硅外延
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Akiyama, S. Atsumi, M. Kambara, M. Kambara]
通讯作者：
M. Kambara
DOI：
10.7567/apex.7.086201
发表时间：
2014-08
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[Sudong Wu;Taiki Iguchi;M. Kambara;T. Yoshida]
通讯作者：
Sudong Wu;Taiki Iguchi;M. Kambara;T. Yoshida
Chinese Academy of Sciences(China)
中国科学院（中国）
中国科学院（中国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Fast rate and wide area Si epitaxy with improved yield by mesoplasma chemical vapor deposition
通过中间等离子体化学气相沉积提高产量的快速大面积硅外延
通过中间等离子体化学气相沉积提高产量的快速大面积硅外延
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Akiyama, S. Atsumi, M. Kambara, M. Kambara, M. Kambara]
通讯作者：
M. Kambara
Deposition of thick SiC film by cluster-assisted mesoplasma chemical vapor deposition
团簇辅助中间等离子体化学气相沉积沉积SiC厚膜
团簇辅助中间等离子体化学气相沉积沉积SiC厚膜
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Akiyama, S. Atsumi, M. Kambara]
通讯作者：
M. Kambara
共 9 条
Development of composite nanoparticles for negative electrode of next generation lithium ion batteries
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批准号：15H04152
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.48万
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财政年份：2015
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负责人：Kambara Makoto
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依托单位：
海外基金