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Formation and characterization of MoS2 pn junction with atomically sharp impurity profile

具有原子级尖锐杂质分布的 MoS2 pn 结的形成和表征

基本信息

批准号：
15K13941
负责人：
Akira Toriumi
金额：
$ 2.5万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（7）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

"Direct Evidence of Defect-defect Correlation in Atomically Thin MoS2 Layer by Random Telegraphic Signals Observed in Back-gated FETs"

“通过在背栅 FET 中观察到的随机电报信号，直接证明原子薄 MoS2 层中缺陷与缺陷之间的相关性”

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
N.Fang;K.Nagashio;and A.Toriumi
通讯作者：
and A.Toriumi

"Random telegraphic signals observed in atomically thin MoS2 FETs"

“在原子级厚度的 MoS2 FET 中观察到的随机电报信号”

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
A. Toriumi;N. Fang and K. Nagashio
通讯作者：
N. Fang and K. Nagashio

東京大学大学院工学系研究科　マテリアル工学専攻　鳥海研究室　成果発表

东京大学大学院工学研究科材料工学科鸟海实验室结果公布

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

1T-TaS2の相転移に対する温度およびゲートバイアス変調効果

温度和栅极偏压调制对 1T-TaS2 相变的影响

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
柴山茂久;方楠;矢嶋赳彬;西村知紀;長汐晃輔;鳥海明
通讯作者：
鳥海明

"Defect position analysis in MoS2 FETs by random telegraphic signals"

“通过随机电报信号分析 MoS2 FET 中的缺陷位置”

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
方楠;長汐晃輔;鳥海明
通讯作者：
鳥海明

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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DOI：
发表时间：
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0
作者：
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通讯作者：
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DOI：
10.1063/1.5120886
发表时间：
2020-01
期刊：
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影响因子：
3.2
作者：
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通讯作者：
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DOI：
发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
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DOI：
发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
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DOI：
发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
作者：
Chi Liu;Shoichi Kabuyanagi;Tomonori Nishimura;Akira Toriumi
通讯作者：
Akira Toriumi

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DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

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批准号：
2792856
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批准号：
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