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Formation and characterization of MoS2 pn junction with atomically sharp impurity profile

Formation and characterization of MoS2 pn junction with atomically sharp impurity profile
具有原子级尖锐杂质分布的 MoS2 pn 结的形成和表征
批准号：
15K13941
负责人：
Akira Toriumi
金额：
$2.5万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15K13941/
关键词：
遷移金属カルコゲナイドMoS2原子層ランダムテレグラフィックシグナルズ2次元材料

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"Direct Evidence of Defect-defect Correlation in Atomically Thin MoS2 Layer by Random Telegraphic Signals Observed in Back-gated FETs"
“通过在背栅 FET 中观察到的随机电报信号，直接证明原子薄 MoS2 层中缺陷与缺陷之间的相关性”
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [N.Fang, K.Nagashio, and A.Toriumi]
通讯作者： and A.Toriumi
"Random telegraphic signals observed in atomically thin MoS2 FETs"
“在原子级厚度的 MoS2 FET 中观察到的随机电报信号”
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [A. Toriumi, N. Fang and K. Nagashio]
通讯作者： N. Fang and K. Nagashio
東京大学大学院工学系研究科　マテリアル工学専攻　鳥海研究室　成果発表
东京大学大学院工学研究科材料工学科鸟海实验室结果公布
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
1T-TaS2の相転移に対する温度およびゲートバイアス変調効果
温度和栅极偏压调制对 1T-TaS2 相变的影响
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [柴山茂久, 方楠, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明]
通讯作者： 鳥海明
国内基金
海外基金
光辅助Li-CO2电池中MoS2催化剂性能调控及机理研究
  • 批准号：
    2026JJ90008
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    赵亭亭
  • 依托单位：
    长沙理工大学
基于MoS2欧姆接触强化锂硫电池双向电催化转化机制的研究
  • 批准号：
    JCZRQNB202600380
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
  • 依托单位：
    湖北第二师范学院
超声驱动MoS2/PCL压电支架调节骨诱导-骨免疫促进骨再生的研究
基于MoS2光电忆阻晶体管的视觉仿生研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
  • 依托单位：
    湖北工业大学