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Revolutionary heat phonon engineering based on advanced graphene NEMS technology

Revolutionary heat phonon engineering based on advanced graphene NEMS technology
基于先进石墨烯 NEMS 技术的革命性热声子工程
批准号：
16K13650
负责人：
MIZUTA HIROSHI
金额：
$2.33万
依托单位：
Japan Advanced Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K13650/
关键词：
グラフェンNEMSフォノンフォノニック結晶超微細加工ヘリウムイオンビームナノマシン先端機能デバイスマイクロ・ナノデバイス熱工学

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会议论文
Observation of Single Carrier Transport Behavior in Graphene Nano Constrictions
石墨烯纳米收缩中单载流子传输行为的观察
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Zhongwang Wang, Takuya Iwasaki, Manoharan Muruganathan and Hiroshi Mizuta]
通讯作者： Manoharan Muruganathan and Hiroshi Mizuta
Graphene nano-electro-mechanical (NEM) devices for advanced applications
用于高级应用的石墨烯纳米机电 (NEM) 器件
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Mizuta, M. E. Schmidt, S. Ogawa and M. Muruganathan]
通讯作者： S. Ogawa and M. Muruganathan
Low pull-in operation and high switching endurance observed for a graphene-hBN van der Waals contact NEMS switch
石墨烯-六方氮化硼范德华接触式 NEMS 开关具有低吸合操作和高开关耐久性
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发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Huynh Van Ngoc, Jothiramalingam Kulothungan, Manoharan Muruganathan, Hiroshi Mizuta]
通讯作者： Hiroshi Mizuta
グラフェン振動子を用いたアトグラムレベルの質量変化検出
使用石墨烯振荡器进行阿克级质量变化检测
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [瀬戸 文博, マノハラン ムルガナタン, 水田 博]
通讯作者： 水田 博
共 86 条
    Heat phonon engineering based on single-nanometer-scale graphene NEMS technology
    Development of graphene NEMS hybrid functional devices for autonomous and ultrasensitive integrated sensors
    国内基金
    海外基金
    基于概率化失效准则的多晶MEMS/NEMS结构断裂可靠度研究
    • 批准号：
      JCZRQN202500559
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
    • 依托单位：
      武汉工程大学
    M/NEMS忆容振荡器的等效建模与动力学演化及多稳态调控研究
    • 批准号：
      62301085
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      陈蓓
    • 依托单位：
      常州大学
    面向新型信息处理器件的可集成碳基NEMS研究
    • 批准号：
      --
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      57万元
    • 批准年份：
      2021
    • 负责人：
      王新河
    • 依托单位：
      北京航空航天大学
    基于热压阻NEMS谐振器的单芯片射频前端基础器件研究
    • 批准号：
      52075519
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      58.0万元
    • 批准年份：
      2020
    • 负责人：
      赵永梅
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所