Room temperature bonding of diamond to Si for power device application and clarification of bonding mechanism
Room temperature bonding of diamond to Si for power device application and clarification of bonding mechanism
用于功率器件应用的金刚石与硅的室温键合及键合机理的阐明
批准号：
16K13676
负责人：
Shigekawa Naoteru
金额：
$2.33万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
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異種材料の接着・接合技術と マルチマテリアル化
异种材料粘合/连接技术及多元材料化
异种材料粘合/连接技术及多元材料化
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[梁 剣波, 桝谷 聡士, 嘉数 誠, 重川 直輝, 重川直輝（分担執筆）]
通讯作者：
重川直輝（分担執筆）
Bonding of Dissimilar Semiconductor Materials for Energy-Harvesting and Energy-Saving Devices
用于能量收集和节能设备的异种半导体材料的键合
用于能量收集和节能设备的异种半导体材料的键合
DOI：
10.3131/jvsj2.60.421
发表时间：
2017
期刊：
Journal of the Vacuum Society of Japan
影响因子：
--
作者：
[重川直輝]
通讯作者：
重川直輝
Si 基板と接合した単結晶ダイヤモンドの残留応力評価
单晶金刚石与硅基体结合的残余应力评估
单晶金刚石与硅基体结合的残余应力评估
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[梁 剣波, 桝谷聡士, 嘉数 誠, Y. Zhou, F. Gucmann, M. S ingh, J. Pomeroy, M. Kuball, 重川直輝]
通讯作者：
重川直輝
ブリストル大学(英国)
布里斯托大学（英国）
布里斯托大学（英国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Room temperature direct bonding of single crystal diamond and Si substrates for the combination of diamond devices with Si LSI
单晶金刚石与硅衬底的室温直接键合，用于金刚石器件与硅LSI的结合
单晶金刚石与硅衬底的室温直接键合，用于金刚石器件与硅LSI的结合
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, Manikant Singh, Michael J. Uren, Martin Kuball, and Naoteru Shigekawa]
通讯作者：
and Naoteru Shigekawa
共 7 条
Direct bonding of widegap semiconductors and diamond for high-efficiency devices and investigation of bonding interface characteristics
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批准号：18K19034
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$3.99万
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财政年份：2018
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负责人：Shigekawa Naoteru
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依托单位：
Post-process control of PV characteristics using wavelength conversion properties of semiconductor nano-particles
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批准号：17H03538
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.82万
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财政年份：2017
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负责人：Shigekawa Naoteru
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依托单位：
海外基金