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Room temperature bonding of diamond to Si for power device application and clarification of bonding mechanism

用于功率器件应用的金刚石与硅的室温键合及键合机理的阐明

基本信息

批准号：
16K13676
负责人：
Shigekawa Naoteru
金额：
$ 2.33万
依托单位：
Osaka City University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（8）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

異種材料の接着・接合技術とマルチマテリアル化

异种材料粘合/连接技术及多元材料化

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
梁　剣波;桝谷　聡士;嘉数　誠;重川　直輝;重川直輝（分担執筆）
通讯作者：
重川直輝（分担執筆）

Bonding of Dissimilar Semiconductor Materials for Energy-Harvesting and Energy-Saving Devices

用于能量收集和节能设备的异种半导体材料的键合

DOI：
10.3131/jvsj2.60.421
发表时间：
2017
期刊：
Journal of the Vacuum Society of Japan
影响因子：
0
作者：
重川直輝
通讯作者：
重川直輝

Si 基板と接合した単結晶ダイヤモンドの残留応力評価

单晶金刚石与硅基体结合的残余应力评估

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
梁剣波;桝谷聡士;嘉数誠;Y. Zhou;F. Gucmann;M. S ingh;J. Pomeroy;M. Kuball;重川直輝
通讯作者：
重川直輝

ブリストル大学(英国)

布里斯托大学（英国）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Room temperature direct bonding of single crystal diamond and Si substrates for the combination of diamond devices with Si LSI

单晶金刚石与硅衬底的室温直接键合，用于金刚石器件与硅LSI的结合

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Jianbo Liang;Satoshi Masuya;Makoto Kasu;Manikant Singh;Michael J. Uren;Martin Kuball;and Naoteru Shigekawa
通讯作者：
and Naoteru Shigekawa

DOI：
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作者：
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作者：
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Shigekawa Naoteru其他文献

Electrical properties of Si/diamond heterojunction diodes fabricated by using surface activated bonding

表面活性键合制备的硅/金刚石异质结二极管的电性能

DOI：
10.1016/j.diamond.2022.109425
发表时间：
2022
期刊：
Diamond and Related Materials
影响因子：
4.1
作者：
Uehigashi Yota;Ohmagari Shinya;Umezawa Hitoshi;Yamada Hideaki;Liang Jianbo;Shigekawa Naoteru
通讯作者：
Shigekawa Naoteru

Variation in atomistic structure due to annealing at diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding

通过表面活化键合制造的金刚石/硅异质界面由于退火而导致原子结构的变化

DOI：
10.35848/1347-4065/ac5d11
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Ohno Yutaka;Liang Jianbo;Yoshida Hideto;Shimizu Yasuo;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru
通讯作者：
Shigekawa Naoteru

Fabrication of β-Ga2O3/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high power device applications

高功率器件应用的 β-Ga2O3/Si 异质界面的制备和界面结构的表征

DOI：
10.35848/1347-4065/ac4c6c
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Liang Jianbo;Takatsuki Daiki;Higashiwaki Masataka;Shimizu Yasuo;Ohno Yutaka;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru
通讯作者：
Shigekawa Naoteru

Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam

使用聚焦离子束对 SAB 制造的界面进行结构分析中的伪影

DOI：
10.23919/ltb-3d.2019.8735379
发表时间：
2019
期刊：
Proceedings of the 6th International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
影响因子：
0
作者：
Ohno Yutaka;Yoshida Hideto;Kamiuchi Naoto;Aso Ryotaro;Takeda Seiji;Shimizu Yasuo;Ebisawa Naoki;Nagai Yasuyoshi;Liang Jianbo;Shigekawa Naoteru
通讯作者：
Shigekawa Naoteru

Particle size control and magnetic hyperthermia effect in Zn0.2Fe2.8O4 nanoparticles

Zn0.2Fe2.8O4 纳米粒子的粒径控制和磁热热效应

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Liang Jianbo;Takatsuki Daiki;Higashiwaki Masataka;Shimizu Yasuo;Ohno Yutaka;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru;Jin Sakamoto
通讯作者：
Jin Sakamoto