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Direct bonding of widegap semiconductors and diamond for high-efficiency devices and investigation of bonding interface characteristics

宽带隙半导体与金刚石的高效器件直接键合及键合界面特性研究

基本信息

批准号：
18K19034
负责人：
Shigekawa Naoteru
金额：
$ 3.99万
依托单位：
Osaka City University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-06-29 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（24）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Direct Bonding of GaN and Diamond Without an Intermediate Layer at Room Temperature

室温下无需中间层即可直接键合 GaN 和金刚石

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Jianbo Liang;Makoto Kasu;Martin Kuball and Naoteru Shigekawa
通讯作者：
Martin Kuball and Naoteru Shigekawa

Characterization of Nanoscopic Cu/Diamond Interfaces Prepared by Surface-Activated Bonding: Implications for Thermal Management

DOI：
10.1021/acsanm.9b02558
发表时间：
2020-02
期刊：
影响因子：
0
作者：
Jianbo Liang;Y. Ohno;Yuichiro Yamashita;Y. Shimizu;Shinji Kanda;N. Kamiuchi;Seong-Woo Kim;Koyama Koji;Y. Nagai;M. Kasu;N. Shigekawa
通讯作者：
Jianbo Liang;Y. Ohno;Yuichiro Yamashita;Y. Shimizu;Shinji Kanda;N. Kamiuchi;Seong-Woo Kim;Koyama Koji;Y. Nagai;M. Kasu;N. Shigekawa

Effect of annealing temperature on diamond/Si interfacial structure

退火温度对金刚石/Si界面结构的影响

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
J. Liang;Y. Zhou;S. Masuya ; F. Gucmann;M. Singh;J. Pomeroy;S. Kim;M. Kuball;M. Kasu;N. Shigekawa
通讯作者：
N. Shigekawa

高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製

用于高功率器件应用的 GaAs/金刚石直接结的制造

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
中村祐志;桝谷聡士;嘉数誠;重川直輝;梁剣波
通讯作者：
梁剣波

Direct bonding of diamond and Cu at room temperature for power device application

室温下金刚石和铜直接键合用于功率器件应用

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
J. Liang;N. Shigekawa
通讯作者：
N. Shigekawa

DOI：
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发表时间：
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作者：
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作者：
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作者：
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Shigekawa Naoteru其他文献

Electrical properties of Si/diamond heterojunction diodes fabricated by using surface activated bonding

表面活性键合制备的硅/金刚石异质结二极管的电性能

DOI：
10.1016/j.diamond.2022.109425
发表时间：
2022
期刊：
Diamond and Related Materials
影响因子：
4.1
作者：
Uehigashi Yota;Ohmagari Shinya;Umezawa Hitoshi;Yamada Hideaki;Liang Jianbo;Shigekawa Naoteru
通讯作者：
Shigekawa Naoteru

Variation in atomistic structure due to annealing at diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding

通过表面活化键合制造的金刚石/硅异质界面由于退火而导致原子结构的变化

DOI：
10.35848/1347-4065/ac5d11
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Ohno Yutaka;Liang Jianbo;Yoshida Hideto;Shimizu Yasuo;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru
通讯作者：
Shigekawa Naoteru

Fabrication of β-Ga2O3/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high power device applications

高功率器件应用的 β-Ga2O3/Si 异质界面的制备和界面结构的表征

DOI：
10.35848/1347-4065/ac4c6c
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Liang Jianbo;Takatsuki Daiki;Higashiwaki Masataka;Shimizu Yasuo;Ohno Yutaka;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru
通讯作者：
Shigekawa Naoteru

Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam

使用聚焦离子束对 SAB 制造的界面进行结构分析中的伪影

DOI：
10.23919/ltb-3d.2019.8735379
发表时间：
2019
期刊：
Proceedings of the 6th International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
影响因子：
0
作者：
Ohno Yutaka;Yoshida Hideto;Kamiuchi Naoto;Aso Ryotaro;Takeda Seiji;Shimizu Yasuo;Ebisawa Naoki;Nagai Yasuyoshi;Liang Jianbo;Shigekawa Naoteru
通讯作者：
Shigekawa Naoteru

Particle size control and magnetic hyperthermia effect in Zn0.2Fe2.8O4 nanoparticles

Zn0.2Fe2.8O4 纳米粒子的粒径控制和磁热热效应

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Liang Jianbo;Takatsuki Daiki;Higashiwaki Masataka;Shimizu Yasuo;Ohno Yutaka;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru;Jin Sakamoto
通讯作者：
Jin Sakamoto