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Direct bonding of widegap semiconductors and diamond for high-efficiency devices and investigation of bonding interface characteristics

Direct bonding of widegap semiconductors and diamond for high-efficiency devices and investigation of bonding interface characteristics
宽带隙半导体与金刚石的高效器件直接键合及键合界面特性研究
批准号：
18K19034
负责人：
Shigekawa Naoteru
金额：
$3.99万
依托单位：
Osaka City University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-06-29 至 2020-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K19034/
关键词：
ダイヤモンドワイドギャップ半導体直接接合熱処理効果界面中間層熱処理界面熱抵抗SiAlCu表面活性化接合固相固相界面

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Direct Bonding of GaN and Diamond Without an Intermediate Layer at Room Temperature
室温下无​​需中间层即可直接键合 GaN 和金刚石
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Jianbo Liang, Makoto Kasu, Martin Kuball and Naoteru Shigekawa]
通讯作者： Martin Kuball and Naoteru Shigekawa
Characterization of Nanoscopic Cu/Diamond Interfaces Prepared by Surface-Activated Bonding: Implications for Thermal Management
DOI： 10.1021/acsanm.9b02558
发表时间： 2020-02
期刊：
影响因子： --
作者： [Jianbo Liang;Y. Ohno;Yuichiro Yamashita;Y. Shimizu;Shinji Kanda;N. Kamiuchi;Seong-Woo Kim;Koyama Koji;Y. Nagai;M. Kasu;N. Shigekawa]
通讯作者： Jianbo Liang;Y. Ohno;Yuichiro Yamashita;Y. Shimizu;Shinji Kanda;N. Kamiuchi;Seong-Woo Kim;Koyama Koji;Y. Nagai;M. Kasu;N. Shigekawa
Effect of annealing temperature on diamond/Si interfacial structure
退火温度对金刚石/Si界面结构的影响
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [J. Liang, Y. Zhou, S. Masuya ; F. Gucmann, M. Singh, J. Pomeroy, S. Kim, M. Kuball, M. Kasu, N. Shigekawa]
通讯作者： N. Shigekawa
高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製
用于高功率器件应用的 GaAs/金刚石直接结的制造
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [中村 祐志, 桝谷 聡士, 嘉数 誠, 重川 直輝, 梁 剣波]
通讯作者： 梁 剣波
共 23 条
    Post-process control of PV characteristics using wavelength conversion properties of semiconductor nano-particles
    • 批准号：
      17H03538
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.82万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Shigekawa Naoteru
    • 依托单位：
      Osaka City University
    Room temperature bonding of diamond to Si for power device application and clarification of bonding mechanism
    • 批准号：
      16K13676
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Shigekawa Naoteru
    • 依托单位：
      Osaka City University
    海外基金