Molekularstrahlepitaxie-Anlage für Halbleiter-Filme (Halbleiter MBE)

这是一种新的技术和技术，它是一种新的技术和技术，它是一种新的技术和技术，它是一种新的技术。Das Wisenschaftliche Interesse richtet sich dabeis is be be beondere auf die w nlicchen elektronischen Eigenschafen Eigenschafen Eigenschaften von 1D ame ketten，2D DreiecksgitterMIT Starken elektronischen Koren and Topologischen Isolatoren Ihren Speziellen Randzuständen.ALS实验的对象是光电学(ARPES)和光电学(STM)。[中英文摘要]Aufgrund ihres ininsischen Oberflächencharakters müssen alle genannten Filmsystem(D.H.在这两种情况下，我们的生活都很愉快。这是一件很重要的事情，因为这是一件很重要的事情。我们为您提供最先进的超高技术支持，以及最先进的MBE定制服务。

Die Arbeitsgruppe des Antragstellers befasst sich mit der Herstellung und Untersuchung von ultradünnen, epitaktisch gewachsenen Adsorbatfilmen auf Halbleitersubstraten, von Submonolagenbedeckungen bis zu Filmdicken im Bereich von einigen 10 nm. Das wissenschaftliche Interesse richtet sich dabei insbesondere auf die ungewöhnlichen elektronischen Eigenschaften von 1D Atomketten, 2D Dreiecksgittern mit starken elektronischen Korrelationen und topologischen Isolatoren mit ihren speziellen Randzuständen. Als experimentelle Methoden werden hierfür hauptsächlich die winkelaufgelöste Photoelektronenspektroskopie (ARPES) sowie die Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie (STM/STS) verwendet. Aufgrund ihres intrinsischen Oberflächencharakters müssen alle genannten Filmsysteme in situ (d.h. vollständig unter Ultrahochvakuumbedingungen) hergestellt und untersucht werden. Die momentan zur Verfügung stehenden Präparationsmöglichkeiten kommen allerdings hinsichtlich der Qualität des epitaktischen Wachstums und auch des effizienten Probendurchsatzes an ihre Grenzen. Aus diesem Grund soll eine neue dedizierte, state-of-the-art UHV-Anlage für Molekularstrahlepitaxie (MBE) beschafft werden, die die bisherigen Begrenzungen überwindet und stark verbesserte Forschungsmöglichkeiten eröffnet.