A study of Silicon optical isolators using contact epitaxial technique
A study of Silicon optical isolators using contact epitaxial technique
采用接触外延技术的硅光隔离器的研究
批准号：
26630166
负责人：
Nakatsuhara Katsumi
金额：
$2.5万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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コンタクトエピタキシャル法を用いたSi上Ce:YIG薄膜の結晶化の基礎検討
接触外延法在Si上结晶Ce:YIG薄膜的基础研究
接触外延法在Si上结晶Ce:YIG薄膜的基础研究
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[飯島 夏来, 石黒 一希, 武田 正行, 中津原 克己, 野毛 悟, 水本 哲弥, 庄司雄哉]
通讯作者：
庄司雄哉
集積型光アイソレータ実現のための薄膜形成条件の検討
研究实现集成光隔离器的薄膜形成条件
研究实现集成光隔离器的薄膜形成条件
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岩田 将輝, 野毛 悟, 中津原 克己]
通讯作者：
中津原 克己
非対称MZI型シリコン導波路を用いたCe：YIG on Siの特性評価
使用非对称 MZI 型硅波导评估 Si 上的 Ce:YIG 特性
使用非对称 MZI 型硅波导评估 Si 上的 Ce:YIG 特性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[清藤将人, 武田正行, 野毛悟, 水本哲弥, 中津原克己, 清藤将人 武田正行 野毛悟 水本哲弥 中津原克己]
通讯作者：
清藤将人 武田正行 野毛悟 水本哲弥 中津原克己
中津原研究室ホームページ
中津原实验室主页
中津原实验室主页
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
コンタクトエピタキシャル法を用いたCe:YIG膜形成のためのSi導波路製作プロセスの検討
接触外延法形成Ce:YIG薄膜硅波导工艺研究
接触外延法形成Ce:YIG薄膜硅波导工艺研究
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[飯島 夏来, 清藤 将人, 武田 正行, 中津原 克己, 野毛 悟, 水本 哲弥]
通讯作者：
水本 哲弥
共 10 条
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