Carrier density estimation for semiconductors by using Kelvin force microscopy
Carrier density estimation for semiconductors by using Kelvin force microscopy
使用开尔文力显微镜估计半导体的载流子密度
批准号：
26630297
负责人：
Arita Makoto
金额：
$2.41万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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九州大学「クリーン実験ステーション」
九州大学“清洁实验站”
九州大学“清洁实验站”
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[有田 誠, 山内貴志, 鳥越和尚, 土渕香織, 桒野由紀子, 本岡輝昭, 池田 晃裕, 浅野 種正, 高橋和敏, 郭其新]
通讯作者：
郭其新
ケルビンフォース顕微鏡（KFM）による半導体および酸化物の表面電位観察
使用开尔文力显微镜 (KFM) 观察半导体和氧化物的表面电位
使用开尔文力显微镜 (KFM) 观察半导体和氧化物的表面电位
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Fabi Zhang, Makoto Arita, Xu Wang, Zhengwei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Teruaki Motooka, and Qixin Guo, Makoto ARITA, 有田 誠]
通讯作者：
有田 誠
DOI：
10.1063/1.4962463
发表时间：
2016-09-05
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
[Zhang, Fabi, Arita, Makoto, Guo, Qixin]
通讯作者：
Guo, Qixin
Photoinduced surface potential change of TiO2 thin films observed by Kelvin force microscopy
开尔文力显微镜观察TiO2薄膜光致表面电位变化
开尔文力显微镜观察TiO2薄膜光致表面电位变化
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[安徳 新之介, 長岡 孝, 有田 誠, 堀田 善治, 山内 貴志, 本岡 輝昭, Makoto ARITA]
通讯作者：
Makoto ARITA
Surface potential measurement and carrier density estimation for semiconductors by using Kelvin force microscopy
使用开尔文力显微镜测量半导体的表面电位和载流子密度
使用开尔文力显微镜测量半导体的表面电位和载流子密度
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Fabi Zhang, Makoto Arita, Xu Wang, Zhengwei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Teruaki Motooka, and Qixin Guo, Makoto ARITA]
通讯作者：
Makoto ARITA
共 8 条
Photo-induced carrier mapping by Kelvin force microscope under modulated light illuminationulated light
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批准号：18K04681
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2018
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负责人：Arita Makoto
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依托单位：