Synthesis and physical property measurements on "uncompensated" thermoelectric semimetal

“无补偿”热电半金属的合成和物理性能测量

基本信息

  • 批准号:
    21K13878
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2021-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(31)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
新奇熱電半金属Ta2PdSe6の低温における異常熱伝導率の起源
新型热电半金属Ta2PdSe6低温异常热导率的成因
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    加藤史章;丸岡うらら;中埜彰俊;寺崎一郎
  • 通讯作者:
    寺崎一郎
Giant Peltier Conductivity in an uncomensated semimetal Ta2PdSe6
未补偿半金属 Ta2PdSe6 中的巨大帕尔贴电导率
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Nakano;A. Yamakage;U. Maruoka;Y. Yasui;and I. Terasaki
  • 通讯作者:
    and I. Terasaki
新規熱電半金属Ta2PdSe6の放射光X線結晶構造解析
新型热电半金属Ta2PdSe6的同步辐射X射线晶体结构分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中埜彰俊;丸岡うらら;山影相;寺崎一郎
  • 通讯作者:
    寺崎一郎
蛍光X線ホログラフィーを用いた高誘電体(Nb+In)co-doped TiO2の3次元構造解析
利用荧光 X 射线全息技术分析高介电 (Nb+In) 共掺杂 TiO2 的三维结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    村田洋人;橋本友次郎;柿本祥太;南いらや;木村耕治;谷口博基;中埜彰俊;田尻寛男;Van An Dinh;森川良忠;林好一
  • 通讯作者:
    林好一
半金属Ta2PdSe6における巨大ペルチェ伝導度
半金属 Ta2PdSe6 的巨大珀耳帖电导率
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中埜彰俊;山影相;丸岡うらら;安井幸夫;寺崎一郎
  • 通讯作者:
    寺崎一郎
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Nakano Akitoshi其他文献

Eliashberg theory in the uniform electron gas revisited
重新审视均匀电子气中的 Eliashberg 理论
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nakano Akitoshi;Yamakage Ai;Maruoka Urara;Taniguchi Hiroki;Yasui Yukio;Terasaki Ichiro;Ryosuke Akashi
  • 通讯作者:
    Ryosuke Akashi
Nontrivial Spin Dimer in the Hexagonal Ruthenate Ba3CaRu2O9 Revealed by Nonmagnetic Ion Substitution
非磁性离子取代揭示了六方钌酸盐 Ba3CaRu2O9 中的非平凡自旋二聚体
  • DOI:
    10.7566/jpsj.90.114706
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    Nishihara Daiki;Kimura Akinori;Nakano Akitoshi;Taniguchi Hiroki;Terasaki Ichiro
  • 通讯作者:
    Terasaki Ichiro
自己駆動体運動に対する反応拡散系モデルについて
关于自动驾驶运动的反应扩散系统模型
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nakano Akitoshi;Shirakuni Hirokazu;Nagai Takayuki;Mochizuki Yasuhide;Oba Fumiyasu;Yokota Hiroko;Kawaguchi Shogo;Terasaki Ichiro;Taniguchi Hiroki;長山雅晴
  • 通讯作者:
    長山雅晴
Exciton Transport in the Electron–Hole System Ta2NiSe5
电子-空穴系统中的激子输运 Ta2NiSe5
  • DOI:
    10.7566/jpsj.88.113706
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    Nakano Akitoshi;Nagai Takayuki;Katayama Naoyuki;Sawa Hiroshi;T. Hiroki;Terasaki Ichiro
  • 通讯作者:
    Terasaki Ichiro
Unconventional high-temperature ferromagnetic semiconductor PbPd<sub>1?<i>x</i>?<i>y</i></sub>Fe<sub><i>y</i></sub>Li<sub><i>x</i></sub>O<sub>2</sub>
非常规高温铁磁半导体PbPd<sub>1?<i>x</i>?<i>y</i></sub>Fe<sub><i>y</i></sub>Li
  • DOI:
    10.1063/5.0051283
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    He Yangchen;Sato Daiki;Misawa Kazuki;Nishihara Daiki;Kimura Akinori;Nakano Akitoshi;Taniguchi Hiroki;Terasaki Ichiro
  • 通讯作者:
    Terasaki Ichiro

Nakano Akitoshi的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似海外基金

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    2024
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由金属表面合成的高迁移率透明p型材料
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    DE240100743
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 3万
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    Discovery Early Career Researcher Award
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  • 批准号:
    10106730
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 3万
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活火山火山碎屑流的动力学:高流动性和通过基质夹带而膨胀
  • 批准号:
    2894571
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
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通过氟增强热氧化开发高迁移率和高可靠性 SiC MOSFET
  • 批准号:
    23K03974
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
High Mobility Binary and Ternary Germanate Films and Heterostructures
高迁移率二元和三元德国酸盐薄膜和异质结构
  • 批准号:
    2306273
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
High-Mobility Air-Stable n-Type Organic Semiconductors for Printed Electronics with Green-Solvent Processability
用于印刷电子的高迁移率空气稳定 n 型有机半导体,具有绿色溶剂加工性能
  • 批准号:
    572336-2022
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Master's
{{ showInfoDetail.title }}

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