Development of High Mobility and High Reliability SiC MOSFETs by Fluorine-Enhanced Thermal Oxidation
Development of High Mobility and High Reliability SiC MOSFETs by Fluorine-Enhanced Thermal Oxidation
通过氟增强热氧化开发高迁移率和高可靠性 SiC MOSFET
批准号：
23K03974
负责人：
岡本 大
金额：
$3.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-01 至 2026-03-31
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ワイドギャップ半導体SiCを用いたMOS構造における界面電子物性の解明
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批准号：09J10165
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$0.9万
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财政年份：2009
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负责人：岡本 大
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依托单位：
海外基金
