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Development of High Mobility and High Reliability SiC MOSFETs by Fluorine-Enhanced Thermal Oxidation
通过氟增强热氧化开发高迁移率和高可靠性 SiC MOSFET
基本信息
- 批准号：23K03974
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
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会议论文数量（0）
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岡本 大其他文献
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- 发表时间：
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- 作者：
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- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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畠山 哲夫
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