刷新
{{item.name}}会员
p型GaN基板の実現に向けたHVPE成長技術の研究開発
实现p型GaN衬底的HVPE生长技术的研发
基本信息
- 批准号：23K13672
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
大西 一生其他文献
GaN高温HVPE成長のための熱力学解析モデルの修正
GaN高温HVPE生长热力学分析模型的修改
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
松岡 聖;坂東 もも子;大西 一生;後藤 健;新田 州吾;村上 尚;熊谷 義直 - 通讯作者：
熊谷 義直
昆虫の攻撃行動を調節する脳内生体アミン
调节昆虫攻击行为的脑生物胺
- DOI：
- 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
大西 一生;藤元 直樹;新田 州吾;渡邉 浩崇;本田 善央;天野 浩;青沼仁志 - 通讯作者：
青沼仁志
GaN (0001)自立基板上GaNのHVPE成長における表面カイネティクス
独立式衬底上 GaN (0001) 的 HVPE 生长的表面动力学
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
大西 一生;藤元 直樹;新田 州吾;渡邉 浩崇;本田 善央;天野 浩 - 通讯作者：
天野 浩
ハライド気相成長法による縦型GaN p-n接合ダイオードの作製
卤化物气相外延法制备垂直GaN p-n结二极管
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
大西 一生;川崎 晟也;藤元 直樹;新田 州吾; 渡邉 浩崇;本田 善央;天野 浩 - 通讯作者：
天野 浩
Starting Point for Negotiation: The Aynak Copper Mine Project Relocation and Compensation Disputes
谈判起点：艾娜克铜矿项目搬迁及补偿纠纷
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
大西 一生;川崎 晟也;藤元 直樹;新田 州吾; 渡邉 浩崇;本田 善央;天野 浩;Ghulam Dastgir Khan - 通讯作者：
Ghulam Dastgir Khan
大西 一生的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('大西 一生', 18)}}的其他基金
高性能GaN系素子作製に向けたハライド気相成長技術の確立
建立用于制造高性能GaN基器件的卤化物气相生长技术
- 批准号：
20J13885 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究
氮化物半导体晶体生长中三维晶格匹配外延的追求
- 批准号：
24K01366 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
非平衡プラズマ結晶成長技術による超高耐圧窒化アルミニウム系半導体電子素子の創製
利用非平衡等离子体晶体生长技术制造超高压氮化铝半导体电子器件
- 批准号：
23K26557 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
AlN基板を用いた窒化物半導体新規電子デバイス構造の提案と結晶成長
新型氮化物半导体电子器件结构和使用AlN衬底的晶体生长的提案
- 批准号：
24K01363 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ボンドエンジニアリング記述子の開発とそのワイドギャップ半導体結晶成長への適用
键合工程描述符的开发及其在宽禁带半导体晶体生长中的应用
- 批准号：
24K08268 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
非平衡プラズマ結晶成長技術による超高耐圧窒化アルミニウム系半導体電子素子の創製
利用非平衡等离子体晶体生长技术制造超高压氮化铝半导体电子器件
- 批准号：
23H01864 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of a Simple and Scalable Method for Organic Semiconductor Single Crystal Growth and Formation of Multi-Single Crystal Thin Films for Applications in Field-Effect Transistor-Based Devices.
开发一种简单且可扩展的方法，用于有机半导体单晶生长和多单晶薄膜的形成，用于基于场效应晶体管的器件。
- 批准号：
22K14293 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Graphene/半導体基板上のエピタキシャル結晶成長の解明
石墨烯/半导体衬底上外延晶体生长的阐明
- 批准号：
22K04948 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
分子配向と結晶成長を指向した有機半導体成膜法の開発と有機トランジスタへの応用
面向分子取向和晶体生长的有机半导体成膜方法的开发及其在有机晶体管中的应用
- 批准号：
21K05217 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
GaNAsBiの結晶成長と温度無依存光通信用半導体レーザへの応用
GaNAsBi 晶体生长及其在与温度无关的光通信半导体激光器中的应用
- 批准号：
20J22804 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Revolution of semiconductor bulk crystal growth technique by transport phenomena combined with information technology
输运现象与信息技术相结合的半导体块晶生长技术的革命
- 批准号：
20H00320 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)