p型GaN基板の実現に向けたHVPE成長技術の研究開発
p型GaN基板の実現に向けたHVPE成長技術の研究開発
实现p型GaN衬底的HVPE生长技术的研发
批准号：
23K13672
负责人：
大西 一生
金额：
$2.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-01 至 2026-03-31
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会议论文
高性能GaN系素子作製に向けたハライド気相成長技術の確立
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批准号：20J13885
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$1.34万
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财政年份：2020
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负责人：大西 一生
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依托单位：
海外基金
