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高機能有機ナノデバイス作製装置の開発と研究

高性能有机纳米器件制备设备的开发与研究

基本信息

批准号：
19918013
负责人：
川上貴浩
金额：
$ 0.48万
依托单位：
Niigata University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19918013/
关键词：
微小プラズマイオン源微細加工

项目摘要

研究目的:本研究では,プラズマを用いた薄膜作製や加工を容易に行え,大学等の研究機関においても安価に実現できるようにするために,小型の真空排気装置を使用し,かつ,高性能電子デバイスを微小基板上に作製できるようにするため,超小型の薄膜作製及び加工装置を開発することを目的に行った。研究方法:本研究では,容量結合型高周波放電を用いることとした。容量結合型高周波放電及びプラズマ生成源と膜堆積槽の分離する構造を実現するために,実際に作製した構造は,ステンレス管に希薄なアルゴンガスを流し,このステンレス管に,直接,高周波電源を接続することにより,ステンレス管内にプラズマを生成させ,管外に設置した陽極(GND)により引き出す構造となっている。また、N型コネクターの中心に外径1200μm内径500μmのステンレス管を用いて,微小プラズマ発生装置とした。ステンレス管の先端には,銀パイプを取り付けたタイプ(Type-A)及びステンレスパイプのみのタイプ(Type-B)を作製し、全体の寸法は直径32〜40mm,高さ26〜75mmである。研究結果:プラズマ放電実験には,高周波電源にケンウッドTS-140S,マッチングボックスにDIAMOND GSV3000を使用した。試作したType-Aは、イオン源の先端には,アルゴンプラズマが生成されるとともに,ステンレスパイプの先端に取り付けた銀パイプがスパッタされ,銀ラジカルの発光色の青緑色の発光を示していた。また,イオン源と対向した位置に設置したガラス基板上には,銀薄膜が作製されていたことから,膜作製装置として機能していることが確認された。この時の膜堆積速度は,1〜10nm/minであった。Type-Bを用いて放電実験も行った。測定結果より、周波数13.56MHz,電圧振幅が約185Vの高周波に、約-75Vの直流成分が加えられた波形となっている。一般に高周波放電を行った場合,電子とイオンでは質量差が大きいため,電子は高周波電界に追従し,イオンは高周波電界に追従できないため,イオンよりも多くの電子が陰極に流入する。このため,高周波に直流が加えられた電圧波形となる。従って,本実験により測定された電圧波形は,一般的な高周波放電の電圧波形であり,試作した装置が十分に機能していると考えられる。以上のことから,薄膜作製及び微細加工が可能な,超小型装置を実現できたと考えられる。

Objective: This study aims to develop thin film fabrication and processing devices for use in small vacuum evacuation devices, high performance electronic devices for fabrication on micro substrates, and ultra-small thin film fabrication and processing devices for research institutions such as universities. Methods: In this study, the capacity combination type high frequency wave Li Guo was used. Capacity combination type high-frequency power source and film accumulation tank separation structure is realized, in practice, the structure is controlled, the tube is expected to be thin, the tube is directly connected, the high-frequency power source is generated, the anode (GND) is arranged outside the tube, and the structure is introduced. The center of the N-type crystal tube has an outer diameter of 1200μm and an inner diameter of 500μm. The diameter of the tube is 32 ~ 40mm and the height is 26 ~ 75 mm. The results show that the high frequency power supply TS-140S, DIAMOND GSV3000 can be used. Try to make Type-A, black and white source tip, black and white source tip, black source tip The silver film is made on the substrate by setting the source and the opposite position, and the film is made by confirming the function. The film stacking speed is 1 ~ 10nm/min. Type-B is used in China. The measurement results show that the frequency is 13.56 MHz, the voltage amplitude is about 185V, the high frequency is about-75 V, and the DC component is about-75 V. In general, the electron mass difference is large, the electron mass difference is large, and the electron mass difference is large. High frequency DC voltage waveform. The voltage waveform measured in this paper is different from that of the general high frequency discharge voltage waveform, and the test device is very functional. As mentioned above, thin film fabrication and microfabrication are possible, and ultra-small devices are realized.