プルシアンブルー類似体を前駆体とするフェライト電磁波吸収薄膜の合成

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現在、携帯電話やパソコンといった小型化・高度化された電子機器類は日常生活に不可欠なものと成りつつあるが、その一方で機器から外部へ又は機器内部で生じる電磁波干渉による誤作動防止のため、より薄く加工性の優れた電磁波吸収体が必要とされている。本研究では、可溶性のニッケル系プルシアンブルー類似体(Ni-PBA、Ni^<2+>_xFe^<2+>_y[Fe^<3+>(CN)_6]_z・nH_2O)を前駆体としてフェライト薄膜を合成し、フェライト電磁波吸収膜としての利用を検討した。各種金属比のNi-PBAは、フェリシアン化鉄(III)カリウム水溶液と硝酸ニッケル(II)水溶液の任意の割合での単純混合により合成した。得られたNi-PBAは不溶性であるので、含有金属物質量の20〜40%のフェロシアン化ナトリウムと共に2〜3日撹拌し、透析後に可溶性Ni-PBAを単離した。これらを空気雰囲気下で400℃1時間焼成した後のX線回折パターンはフェライトの生成を示した。水溶性Ni-PBA0.1gを水1mlに可溶化させ、スピンコーターでガラス板上に均一な薄膜(膜厚0.5μm)とし、焼成した(膜厚0.2μm)。また、成膜と焼成の繰り返しにより、膜厚を0.2μmづつ増加させることが可能であった。この方法で作製した膜厚1.6μmフェライト膜と、別の方法で作製した膜厚340μmのポリビニルアルコール10%含有フェライト膜を準備し、90MHz〜1.8GHzの周波数帯で電磁波吸収の試験を行ったが、共に電磁波吸収効果は得られなかった。この理由として、プルシアンブルー類似体焼成過程で最初に生じる非磁性体のアモルファスの酸化鉄が多く残り、フェライト生成が十分でないために薄膜での電磁波吸収を示さなかったものと考えられる。フェライト生成を助長する焼成条件(雰囲気ガス、焼成温度、時間)をより精査する必要がある。