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ガリウム砒素基板上に作製したセレン化鉄薄膜の磁気特性制御

砷化镓基底上硒化铁薄膜磁性能的控制

基本信息

批准号：
09750348
负责人：
竹村泰司
金额：
$ 1.47万
依托单位：
Yokohama National University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至 1998
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09750348/
关键词：
セレン化鉄薄膜磁気特性

项目摘要

CaAs基板上に作製したFeSe薄膜の磁気特性を詳細に解析した。(1) FeSe薄膜の作製にはセレン化法を用いた。作製方法・作製条件や、得られたFeSe薄膜の構造評価、磁気特性評価の結果などに関する詳細は既に平成9年度実績報告書で報告済みである。(2) 平成10年度はGaAs(001)基板上に作製したFe薄膜のセレン化によりFeSe薄膜が形成される過程における、磁気特性や結晶粒径を検討した。その結果、・セレン化が進に伴い(セレン化率の増加に伴い)、走査型電子顕微鏡(SEM)で試料表面を観察することにより計算されるFeSe薄膜の多結晶粒径は、増加することが明らかとなった。セレン化率が10%以下の領域では粒径は100nm程度、セレン化率80%では700nm程度の粒径であった。・振動型磁力計(VSM)により測定した試料の飽和磁化、Ms[emu/cc]はセレン化率の増加に伴い減少するが、Fe1原子当たりの飽和磁化は一定であることが明らかとなった。(3) 本研究課題の遂行により得られた成果を以下にまとまる。・セレン化法を用いることにより、FeSe薄膜の作製が可能であることを見出し、また、作製条件を確立した。・得られたFeSe薄膜は、膜の深さ方向に対してFe/Seの構成組成比が一定であり、セレン化過程が単なるSe原子の拡散ではなく、FeSe化合物を形成する過程であることを初めて明らかにした。・FeSe薄膜の磁気特性評価により、飽和磁化、保磁力、面内異方性、面内/垂直方向異方性、及び、これらのセレン化過程における変化を明らかにした。

Detailed analysis of magnetic properties of FeSe thin films fabricated on CaAs substrates (1)FeSe thin films are fabricated by chemical method. Preparation method, preparation conditions, structural evaluation of FeSe thin film, magnetic properties evaluation results, details of the report of the annual performance report (2)In 2010, Fe thin films were fabricated on GaAs(001) substrates, and the formation process, magnetic properties and crystal particle size of FeSe thin films were investigated. As a result, the grain size of FeSe thin films was calculated by scanning electron microscopy (SEM). The particle size is about 100nm in the area where the conversion rate is less than 10%, and the particle size is about 700nm in the area where the conversion rate is 80%. Vibration-type magnetometer (VSM) measures saturation magnetization of the sample, increases in the conversion rate of Ms[emu/cc], decreases in the saturation magnetization of Fe1 atoms, and decreases in the saturation magnetization of Fe1 atoms. (3)The results of this research project are as follows: The FeSe thin film can be fabricated by chemical method. The FeSe thin film has a certain Fe/Se composition ratio in the deep direction, and the FeSe compound is formed in the process of decomposition. Evaluation of magnetic properties of FeSe thin films: saturation magnetization, magnetic property preservation, in-plane anisotropy, in-plane/perpendicular anisotropy, and magnetic properties.