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磁性元素を含む半導体の自己組織化ドットにおける巨大磁気光学効果

含磁性元素半导体自组装点中的巨磁光效应

基本信息

批准号：
11750004
负责人：
黒田眞司
金额：
$ 1.22万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至 2000
项目状态：
已结题

项目摘要

昨年度までの研究で、ZnTe(100)面上にCdTeおよびCd_<1-x>Mn_xTeを原子層エピタキシー(ALE)の手法により積層し、格子歪みによる自己組織化ドットの作製が可能であることを示した。この場合の格子不整合割合は、ZnTeとCdTeの組み合わせで6.2%であり、得られたドットの密度は約10^<11>cm^<-2>,ドットのサイズは直径20nm,高さ23nmであった。今年度はドット形成が格子不整合割合によってどのように変化するかを調べるため、下地層をZn_<1-y>Cd_yTe混晶にし、その(100)表面にCdTeおよびCd_<1-x>Mn_xTeを積層し、ドット形成の様子を原子間力顕微鏡(AFM)で観察した。この場合は下地のCd組成yが増加すると、CdTeとの格子不整合割合はyに比例して減少することになる。まずドット層がCdTeの場合は、下地のCd組成y<0.25の範囲では、ドットの密度はyの増加にほぼ比例して減少し、ドットサイズは増加するという結果が得られた。一方、ドット層がCd_<1-x>Mn_xTe(x〜0.06)の場合は、ドット密度はy<0.18の範囲ではほとんど変化せず、yがそれ以上になると急激に減少するという結果が得られた。またドットのサイズもyによりあまり変化しなかった。CdTeとCd_<1-x>Mn_xTeとではZn_<1-y>Cd_yTe層との格子不整合割合はほぼ同じであることから、上記のようにドット密度・サイズのy依存性が異なる原因ははっきりしないが、CdTeとCd_<1-x>Mn_xTeとの成長機構の違いが関連しているものと推測される。すなわちTe被覆面へのMn原子の付着係数はCd原子より大きいので、ドット形成に密接に関連している成長表面でのマイグレーションの度合いがCdTeとCd_<1-x>Mn_xTeで異なっているものと考えられる。また並行してZnTe(111)面上でのCdTeドットを成長させることを試みた。ZnTe(100)面上の場合とほぼ同程度の密度のドット形成が確認された。ただサイズは、直径は同程度であったが、高さがかなり小さく、ZnTe(100)面上と比べてより平べったいドットが形成されることがわかった。

Last year's research on CdTe on ZnTe (100) surface Cd_<1-x>Mn_xTe and atomic layer The technique of ALE (ALE) is layered, and the grid is distorted and organized by oneself, and it is possible to make it by showing it.このoccasionのlattice unconformity cut combinationは、ZnTeとCdTeのgroupみ合わせで6.2%であり、getられたドットThe density is about 10^<11>cm^<-2>, the diameter is 20nm, and the height is 23nm.今年度はドット形成が格子不整合割合によってどのように変化するかを調べるため、下地層をZn_<1-y>Cd_yTe混晶にし、そThe (100) surface is CdTe and Cd_<1-x>Mn_xTe is laminated and formed, and the interatomic force micromirror (AFM) is used for observation.このoccasion は下地のCd yがincrease すると, CdTe とのlattice unconformity cut はyにproportion してすることになる.まずドットlayerがCdTeのoccasionは、下地のCd compositiony<0.25のfan囲では、ドットのThe density is increased and the proportion is reduced, and the density is increased and the result is reduced. On the one hand, the case where the ドットlayer is Cd_<1-x>Mn_xTe(x~0.06), the ドットdensity is y<0 .18の风囲ではほとんど変化せず、yがそれ上になると久狠にREDuceするというRESULTSがgetられた.またドットのサイズもyによりあまり変化しなかった. CdTeとCd_<1-x>Mn_xTeとではZn_<1-y>Cd_yTe layer とのlattice unconformity cut combination はほぼ同じであることから、上记のようにドット density Degree・サイズのydependencyがdifferentなるreasonははっきりしないが、CdTeとCd_< 1-x>Mn_xTe とのgrowth organization のviolation いがrelated しているものと speculate される. The growth table of the Te coating surface, the Mn atom, the adhesion coefficient, the Cd atom, the large size, the close connection, the close connection, and the connection coefficient.面でのマイグレーションの度合いがCdTeとCd_<1-x>Mn_xTeでdifferentなっているものと卡えられる.また parallel してZnTe (111) surface でのCdTe ドットをgrowth させることをtrial みた. In the case of ZnTe (100) surface, it is possible to confirm the formation of density of the same degree.ただサイズは, same diameter であったが, high さがかなりsmall さく, ZnTe( 100) On the surface, the surface is flat and flat.