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分子動力学法における新しい温度制御法の開発

分子动力学方法中新型温度控制方法的发展

基本信息

批准号：
11750068
负责人：
萱場智雄
金额：
$ 1.34万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至 2000
项目状态：
已结题

项目摘要

前年度得られた,分子動力学法における新しい温度制御法に関する知見に基づき,CVD法におけるシリコン基板表面への炭素原子吸着のメカニズムの把握を目的とした分子動力学シミュレーションを行った。その結果,基板表面に飛来する炭素原子について,基板に吸着する割合に入射速度および入射角依存性がないことを示した。CVD法によるダイヤモンド合成過程において,炭素原子がシリコン基板に吸着するメカニズムは未だ明らかになっていない。基板表面に飛来したすべての炭素原子が吸着するわけではないと考えられるが,その詳細はわかっていなかった。そこで本年度は,CVD法によるダイヤモンド合成過程における,シリコン基板表面への炭素原子吸着のメカニズムの把握を目的として,炭素原子がシリコン基板に吸着する過程を対象とした分子動力学シミュレーションを行った。ここでは問題を単純化するため,反応ガスとして,メチルラジカル等ではなく炭素ラジカル(炭素原子)を対象とした。炭素原子の個数は1個とした。あくまで素過程を対象とするため,水素ラジカルの存在は無視した。得られた成果を箇条書きにして以下に示す。1.基板表面に飛来する反応ガス中の炭素原子の速度及び基板表面とのなす角を種々変えシミュレーションを行い,炭素原子が基板に吸着する割合に入射速度および入射角依存性がないことを示した。2.吸着位置とダイマとの位置関係について考察し,ダイマは,直接飛来した炭素原子を跳ね返すこともあるが,最終的に炭素原子の吸着位置になる場合が多いことを明らかにした。

The molecular dynamics method is a new method for controlling temperature, and the CVD method is a new method for controlling temperature. As a result, carbon atoms fly into the substrate surface, and the incident velocity and incident angle dependence of the substrate adsorption are shown. CVD method is a process of synthesis in which carbon atoms are adsorbed on a substrate. Carbon atoms are adsorbed on the surface of the substrate. This year, the CVD method has been used to study the molecular dynamics of carbon atoms adsorbed on the surface of a substrate. The problem of carbon atoms is that they are pure and pure. The number of carbon atoms is 1. The existence of water elements is ignored. The results are shown below. 1. The dependence of the velocity and angle of incidence of carbon atoms on the surface of the substrate is shown. 2. The adsorption position of carbon atoms is investigated, and the carbon atoms directly fly back to the adsorption position.