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ダイヤモンド薄膜付着強度を増加させる新しい基板前処理手法の開発

开发一种新的基材预处理方法以提高金刚石薄膜的附着强度

基本信息

批准号：
07855014
负责人：
萱場智雄
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07855014/
关键词：
薄膜核発生ダイヤモンドシリコン付着電子デバイス CVD 点欠陥

项目摘要

ダイヤモンド薄膜においては,基板と薄膜は蒸着の初期に核が発生した点でのみ接していることが従来から確認されている。このため薄膜生成にあたっては,薄膜の核の数すなわち核発生密度を増加させることが重要となる。ここではダイヤモンド薄膜付着強度を増加させる新しい基板前処理手法の開発の基礎として,原子レベルからの薄膜付着モデルを開発し,コンピュータシミュレーションの実施により種々の現像を数値的に明らかにした。得られた実績を要約して以下に示す。1.核発生に及ぼす基板傷つけ処理の影響を解明することを目的として,傷つけ処理を施したシリコン基板と反応ガスからなる核発生二次元モデルを考案し,同基板上に発生するダイヤモンド核を対象とした数値シミュレーションを行った。その結果,核発生過程を数値的に明らかにした。2.薄膜形成に及ぼす基板傷つけ処理の影響を解明することを目的として,1.で考案したモデルを発展させた核成長二次元モデルを考案し,シリコン基板上に発生および成長するダイヤモンド核を対象とした数値シミュレーションを行った。その結果,核成長過程を数値的に明らかにした。3.ダイヤモンド薄膜をシリコン基板から引きはがすのに必要な力を数値的に求めることを目的とし,2.で考案した核成長二次元モデルを用い数値計算を行った。その結果,薄膜が基板からはがれる過程を数値的に明らかにするとともに,薄膜を引張る速度と薄膜を基板から引きはがすのに必要な力との関係を明らかにした。

In the early stage of evaporation, the core of the substrate and the thin film is formed. The number of nuclei in the thin film is increasing and the density of nuclei is increasing. This is the basis for the development of a new substrate pretreatment method with an increase in film deposition strength. The development of a new substrate pretreatment method with an increase in film deposition strength is based on the development of a new substrate pretreatment method with an increase in film deposition strength. The following is a summary of the results achieved. 1. To clarify the effect of damage treatment on nuclear generation and substrate, the damage treatment is applied to the substrate and the substrate. As a result, the nuclear evolution process has a number of bright lights. 2. To understand the effects of film formation and substrate damage treatment, 1. To investigate the effects of film formation and substrate damage treatment, 2. To investigate the effects of film formation and substrate damage treatment, 2. To investigate the effects of film formation and substrate damage treatment, 3. As a result, the nuclear growth process has a number of bright lights. 3. To calculate the necessary force for the development of a thin film As a result, the number of thin film substrates is increasing, and the film tension is increasing.