シリコンウェハ表面の高純度化へのキャビテーションの有効利用

有效利用空化提高硅片表面纯度

• 批准号: 11750067
• 负责人: 祖山 均
• 金额: $ 1.47万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1999 至 2000
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-11750067/
• 关键词: ゲッタリング; キャビテーション; シリコン; ウェハ; 酸化積層欠陥; 噴流; 衝撃力; 吐出し圧力; 損傷

本研究は,シリコンウェハ裏面に加工歪層を付与して半導体デバイスプロセス中に生じる不純物をウェハ表面から除去するゲッタリングが半導体プロセスにおいて必要不可欠であり,かつ従来のSiO_2粒子を用いたサンドブラストでは粒子の汚染が問題となることを踏まえて,キャビテーション噴流まわりのキャビテーション気泡の崩壊衝撃力によるゲッタリング法の確立を目的とし,キャビテーション噴流によるゲッタリング効果の実証のために以下の研究を実施した。1.ゲッタリング効果の定量的評価キャビテーション噴流式試験装置を使用して,ゲッタリングサイトとなる酸化積層欠陥OSFを生成するためにシリコンウェハに加工ひずみ層を与え,そのひずみ量をX線回折式応力測定装置により定量的に評価した。一般に用いられているX線応力測定装置は多結晶材料を計測対象とし,シリコンウェハのような単結晶材料のひずみや応力は計測できない。そこで,加工ひずみ層と未加工部分で計測した回折角のシフト量を,シリコンウェハに応力を負荷して校正する方法を試みた。2.最適ゲッタリング条件の確立初年度はキャビテーション噴流用ノズルおよびシリコンウェハを固定してシリコンウェハに加工ひずみ層を導入していた。本年度は,本ゲッタリング法の実用化を目的として,シリコンウェハの全面を加工できるように,ノズルを走査した場合にゲッタリングサイトとなる酸化積層欠陥を導入するための最適加工速度を明らかにした。

In this paper, we study the problem of particle contamination caused by the impurity layer on the surface of the semiconductor substrate and the impurity layer on the semiconductor substrate. The following research was carried out on the establishment of the objective of the gas injection method: 1. The quantitative evaluation of the results of the process is carried out by using the jet flow test device. The quantitative evaluation is carried out by using the acid layer and the OSF. In general, X-ray force measuring devices are used to measure the force of polycrystalline materials. In addition, the method of measuring the bending angle of the machined and unprocessed parts and correcting the load of the machined and unprocessed parts shall be tried. 2. The optimum conditions for the establishment of the initial phase of the jet flow are determined by the initial phase of the jet flow. This year, the purpose of this process is to investigate the optimum processing speed of acidizing layers.

项目成果

H.Soyama (H.Kumano and M.Saka): "Backside Damage Introduced by Cavitating Jet for Gettering"Proceedings of the PACIFIC RIM/International, Intersociety, Electronic Packaging Technical/Business Conference. (発表予定). (2001)

H.Soyama（H.Kumano 和 M.Saka）：“由空化射流引入的背面损坏”，太平洋 RIM/国际、社会间、电子封装技术/商业会议记录（2001 年）。

H.Soyama (H.Kumano and M.Saka): "Possibility of Gettering in Silicon Wafer by Using a Cavitating Jet"噴流工学. 18・1(発表予定). (2001)

H.Soyama（H.Kumano 和 M.Saka）：“使用空化射流在硅片中吸杂的可能性”喷射工程 18・1（即将发表）。

祖山 均 (熊野弘之,坂 真澄): "シリコンウェハに対するゲッタリングへのキャビテーション噴流の応用"第10回キャビテーションに関するシンポジウム講演論文集. 39-40 (1999)

Hitoshi Soyama（Hiroyuki Kumano、Masumi Saka）：“空化射流在硅片吸杂中的应用”第 10 届空化研讨会论文集 39-40（1999 年）。

H.Soyama (H.Kumano and M.Saka): "Possibility of Gettering in Silicon Wafer by Using Cavitating Jet"Proc.Int.Sympo.On New Applications of Water Jet Technology. 151-156 (1999)

H.Soyama（H.Kumano 和 M.Saka）：“利用空化射流在硅片中吸杂的可能性”Proc.Int.Sympo.On 水射流技术的新应用。

H.Soyama (H.Kumano and M.Saka): "Silicon Wafer Surface Treated by Cavitating Jet"Proceedings of International Symposia on Materials Science for the 21st Century-Micromaterials. (発表予定). (2001)

H.Soyama（H.Kumano 和 M.Saka）：“空化射流处理的硅晶片表面”21 世纪材料科学微材料国际研讨会论文集（待发表）。