活性酸素の高耐食性不動態被膜生成への有効利用

有效利用活性氧生成高耐腐蚀钝化膜

• 批准号: 14655266
• 负责人: 祖山 均
• 金额: $ 2.43万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2002 至 2003
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-14655266/
• 关键词: 酸化; 金属酸化物; 半導体; 光電効果; 短絡電流; ゲッタリング; ひずみ; 酸化積層欠陥; 活性酸素; キャビテーション; 酸化膜; ルミノール; ルミネッセンス; 発光; 金属酸化物半導体; 冷却CCDカメラ

本研究は,一般には流体機械に振動や騒音、致命的損傷を生じる害悪であるキャビテーション気泡の崩壊時に生じる局所的高圧かつ高温環境下を用いて,キャビテーション噴流が活性酸素を生成することを実証し,この活性酸素の高耐食性不動態被膜生成への有効利用を目的とする。本年度は,昨年度の成果を踏まえて以下の研究を実施した。1.活性酸素生成を目的としたキャビテーション噴流の最適化キャビテーション気泡の崩壊衝撃力の計測等により,キャビテーション噴流の最適噴射条件を明らかにした。キャビテーション噴流をシリコンウェーハ裏面に噴射して生成させた酸化積層欠陥により,ゲッタリング効果があることを実証した。さらにキャビテーション噴流により加工して酸化積層欠陥を生じる場合には,X線回折によりシリコンの結晶構造が乱れていること,ならびにWrightエッチングによりエッチピットを生じる、ことを明らかにした。2.活性酸素による耐食性不動態被膜生成の最適化生成した金属酸化物の酸化被膜が生じる光電効果において,ある一定のひずみを付与することにより,短絡電流が増大して,光起電力が増大する事実を明らかにした。なおこのときには開放電圧はほとんどひずみの影響を受けなかった。しかしながら,この一定値以上のひずみを負荷すると,短絡電流ならびに開放電圧ともに低下して,光起電力が著しく低下することが判明した。すなわち,ひずみによる金属酸化物半導体の光起電力向上においては最適値が存在することが判明した。

は, this study generally に に は fluid mechanical vibration や 騒 sound, fatal injury を じ る harm 悪 で あ る キ ャ ビ テ ー シ ョ ン の 気 bubble collapse when 壊 に raw じ る bureau high 圧 か つ を under high temperature environment with い て, キ ャ ビ テ ー シ ョ ン jets が active acid を SRBC す る こ と を be し, こ の active の high resistance to acid element diets don't generate dynamic capsule へ の a sharper use Youdaoplaceholder0 purpose とする. This year を, the <s:1> achievements of the previous year を and まえて. The following <s:1> research を has been implemented た. Purpose 1. Active acid production を と し た キ ャ ビ テ ー シ ョ ン jets の optimization キ ャ ビ テ ー シ ョ ン の 気 bubble collapse の 壊 blunt shock force measuring etc に よ り, キ ャ ビ テ ー シ ョ ン jets の optimal injection condition を Ming ら か に し た. キ ャ ビ テ ー シ ョ ン jets を シ リ コ ン ウ ェ ー ハ に inside jet し て generated さ せ た acidification horizon owe 陥 に よ り, ゲ ッ タ リ ン グ unseen fruit が あ る こ と を card be し た. さ ら に キ ャ ビ テ ー シ ョ ン jets に よ り processing し て acidification horizon owe 陥 を raw じ る occasions に は, X-ray inflexion に よ り シ リ コ ン の crystal structure が disorderly れ て い る こ と, な ら び に Wright エ ッ チ ン グ に よ り エ ッ チ ピ ッ ト を raw じ る, こ と を Ming ら か に し た. 2. Active acid element に よ る diets don't generate dynamic capsule resistant の optimum im into し た が raw metal acidification content の acidification capsule じ る photoelectric unseen fruit に お い て, あ る certain の ひ ず み を give す る こ と に よ り, short winding current が raised large し て, light electricity が raised bigger す る things be を Ming ら か に し た. The influence of the open voltage is を affected by けな を った った と に に に に に open voltage is ほとん ほとん ひずみ ひずみ を. し か し な が ら, こ の above a certain numerical の ひ ず み を load す る と, short winding current な ら び に open electric 圧 と も に low し て, light up power が し く low す る こ と が.at し た. Youdaoplaceholder0,ひずみによる metal acidifier semiconductor, <s:1> photovoltaic power upward にお て て する optimal value が exists する する とが determine た.

项目成果

H.Kumano, H.Soyama, M.Saka: "Evaluation of the Damage for Gettering in Silicon Wafer Introduced by a Cavitating Jet"Proceedings of 5th International Conference on Fracture and Strength of Solids. CD-ROM. 1-5 (2004)

H.Kumano、H.Soyama、M.Saka：“Evaluation of the Damage for Gettering in Silicon Wafer Introduced by a Cavitation Jet”第五届国际固体断裂与强度会议论文集。

祖山均, 棚瀬良太, 坂真澄: "亜酸化銅の光起電力に及ぼす応力の影響"日本機械学会東北支部第38回総会・講演会講演論文集. 031-1(発表予定). (2003)

Hitoshi Soyama、Ryota Tanase、Masumi Saka：“应力对氧化亚铜光伏力的影响”日本机械工程师学会东北分会第 38 届会议记录和讲座 031-1（待提交）。 2003）

祖山 均, 土永 誠: "曲げ応力負荷による亜酸化銅の光起電力の特性"日本機械学会東北支部第39期総会・講演会講演論文集. 041-1(発表予定). (2004)

Hitoshi Soyama、Makoto Tsuchinaga：“弯曲应力载荷下氧化亚铜的光伏力特性”日本机械工程师学会东北分会第 39 届会议记录和演讲 041-1（待提交）。 ）

祖山 均, 棚瀬 良太: "亜酸化銅の光起電力に及ぼす基板の曲率の影響"日本機械学会東北支部第39期秋季講演会講演論文集. 031-2. 53-54 (2003)

Hitoshi Soyama，Ryota Tanase：“基板曲率对氧化亚铜光伏力的影响”日本机械工程师学会东北分会第 39 届秋季会议记录 031-54 (2003)。