课题基金 / 基金详情

強誘電性液晶ディスプレイ用酸化亜鉛バリスタ薄膜材料の開発

強誘電性液晶ディスプレイ用酸化亜鉛バリスタ薄膜材料の開発
铁电液晶显示器用氧化锌压敏电阻薄膜材料的研制
批准号:
11750603
负责人:
亀川 厚則
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1999
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1999 至 2000

项目摘要

项目成果

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現在製品化されている強誘電性液晶ディスプレイは数100万個の液晶素子それぞれにサージ機能を付与するためにコストが大きくなる欠点を有しているため、サージ素子としてバリスタ薄膜を用いる提言が成されている。これに要求される特性は酸化亜鉛バリスタ薄膜材料が実現に一番近い材料と考えられる。この薄膜の構造を制御し、多層化によりバリスタ電圧を制御し、各層の組成の最適化を計ることにより低抵抗化することが期待できる。本研究はZnO/Pr_6O_<11>多層膜を作製し、要求を満たす特性を有する酸化亜鉛バリスタ薄膜を開発することを目的とし、成膜プロセスにおける酸素ガス圧制御が抵抗、膜構造および相の安定性を左右することから、酸素ガス圧条件を詳細に検討し最適化を計り、また多層化させることによりバリスタ電圧を制御し、また実用化要求である膜厚200nm以下の構造を検討し、以下の結果を得た。レーザーアブレーション法を用いて作製したZnO/Pr_6O_<11>多層膜明瞭なバリスタ特性を示し、そのバリスタ電圧Vbは0.15〜0.30,非線形係数αは2.5〜4.3の値を示し、低電圧バリスタとなることが判明した。さらに膜厚を[ZnO/Pr_6O_<11>]=250Å/250Åとした薄膜試料においてもバリスタ特性を示すことが判明した。さらに、大きなバリスタ電圧Vb電圧を有する薄膜として本研究ではBaTiO_3薄膜にも注目した。本系薄膜は電極界面にバリスタの発現機構を有することから、BaTiO_3層を減少させることが可能である。これより、元来誘電率の大きなBaTiO_3を、超薄膜化することにより、誘電率を下げ電極をAlとすることにより3V以上のバリスタ電圧Vb電圧を有する薄膜が得られた。
期刊论文(3)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
杉山聡: "レーザアブレーション法により作製されたZnO/Pr_6O_<11>積層薄膜のバリスタ特性"粉体および粉末冶金. 第46巻第8号. 811-815 (1999)
Satoshi Sugiyama:“激光烧蚀法制备的ZnO/Pr_6O_<11>叠层薄膜的压敏电阻特性”《粉末与粉末冶金》,第46卷,第8期,811-815(1999)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
Naoki Ikeda: "Dielectric Properties of Nb-Doped PbZrO_3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition"Materials Transactions JIM. Vol.41 No.5. 589-592 (2000)
Naoki Ikeda:“脉冲激光沉积制备的 Nb 掺杂 PbZrO_3 薄膜的介电性能”Materials Transactions JIM。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
杉山 聡: "レーザーアブレーション法により作製されたZnO/Pr_6O_<11>積層薄膜のバリスタ特性"粉体および粉末冶金. Vol.46・No.8. 811-815 (1999)
杉山聪:“激光烧蚀法制备的ZnO/Pr_6O_<11>叠层薄膜的压敏电阻特性”《粉末冶金》第46卷·第811-815号。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
貴金属触媒を凌駕する超効率アンモニア合成の為の非貴金属/希土類水素化物触媒の開発
  • 批准号:
    23K04412
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $3.08万
  • 财政年份:
    2023
  • 负责人:
    亀川 厚則
  • 依托单位:
超高圧法による新規希土類系化合物の探索と主に水素吸蔵特性に関する高機能化
  • 批准号:
    17042007
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $2.05万
  • 财政年份:
    2005
  • 负责人:
    亀川 厚則
  • 依托单位:
高圧合成法によるH/Mが4を超えるアルカリ土類-7B遷移金属系水素化物の探索
  • 批准号:
    14750570
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额:
    $2.24万
  • 财政年份:
    2002
  • 负责人:
    亀川 厚則
  • 依托单位:
海外基金