SOR光利用表面X線散乱法による電極/溶液界面の原子レベルでのその場構造追跡
SOR光利用表面X線散乱法による電極/溶液界面の原子レベルでのその場構造追跡
批准号:
12750722
负责人:
近藤 敏啓
金额:
$1.34万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
2000
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2000 至 2001
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英文摘要
本研究では、シンクロトロン軌道放射光(Synchrotron Orbital Radiation, SOR光)を利用した表面X線散乱(Surface X-ray Scattering, SXS)法により、単結晶電極/電解質溶液界面の三次元構造を原子レベルでその場追跡することを目的としている。今年度は、まず、Au(111)単結晶電極上におけるAgのアンダーポテンシャル析出(Underpotential Deposition, UPD)過程の界面構造をその場追跡した。Au(111)上におけるAgのUPD過程では、 3つの主な還元ピークが観測されるが、その際に析出するAgの層数は、1層であるという説と2層であるという説があり、決定されていなかつた。本実験の結果、第二UPDピークと第三UPDピークの間の電位ではAgが1層、第三UPDピークとバルク析出電位との間でAgが2層、析出していることが明らかとなった。また、析出したAg層は、1層目、2層目とも、下地のAu(111)面に対して、fccスタッキングを保持していることも明らかとなった。次に、Agを2層UPD析出させたAu(111)電極を、塩化物イオンの入った電解質溶液中に浸し、電位を走査することで、電極表面での銀/塩化銀反応を行い、その際の構造変化をin situ SXS法で追跡した。その結果、酸化時にはAu(111)表面上に、4×4の構造でAgClが1層、(111)面方向に形成しており、またその表面上には直径100Å程度のAgClクラスターが存在していることがわかった。
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M.Abe: "Characterization of Novel Redox-Active Triruthenium (III) Complexes with a Disulfide-Alkyl Ligand. Anion-Dependent Redox Behavior of the ……"Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions. 2693-2702 (2000)
M.Abe:“新型氧化还原活性三钌 (III) 配合物与二硫化物-烷基配体的表征。阴离子依赖性氧化还原行为……”化学会杂志,道尔顿学报 2693-2702 (2000)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
近藤敏啓: "電気化学便覧(シンクロトロン軌道放射光の利用)"丸善. 213-218 (2000)
Toshihiro Kondo:“电化学手册(同步加速器轨道同步辐射的使用)”Maruzen 213-218(2000)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Kondo: "Anion Effect on the Electrochemical Characteristics of a Gold Electrode Modified with a Self-Assembled Monolayer of Ferrocenylhexanethlol in Aqueus and Dichloromethane Solutions"Journal of Organometallic Chemistry. 637/639(1). 841-844 (2001)
T.Kondo:“阴离子对水和二氯甲烷溶液中自组装单层二茂铁己醇修饰金电极电化学特性的影响”有机金属化学杂志。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
A.Sato: "A Ligand Substitution Reaction of oxo-Centered Triruthenium Complexes Assembled as Monolayers on Gold Electrodes"Physical Chemistry and Chemical Physics. 3(16). 3420-3426 (2001)
A.Sato:“在金电极上组装成单层的氧中心三钌配合物的配体取代反应”物理化学和化学物理。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Tamura: "In situ Optical and Electrochemical AFM Monitoring of Cu Electrodeposition Process on Bare and (NH_4)_2S-Treated p-GaAs (001) Surfaces"Journal of the Electrochemical Society. 147(9). 3356-3360 (2000)
K.Tamura:“裸露和 (NH_4)_2S 处理的 p-GaAs (001) 表面上 Cu 电沉积过程的原位光学和电化学 AFM 监测”电化学学会杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 12 条
オペランド追跡と軟X線分光によるLi空気電池の負極・正極反応機構の定量的全貌解明
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批准号:24K01450
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.9万
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财政年份:2024
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负责人:近藤 敏啓
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依托单位:
放射光利用表面X線散乱法による電気化学活性界面の構造ダイナミクス解析
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批准号:17034017
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.82万
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财政年份:2005
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负责人:近藤 敏啓
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依托单位:
自己組織化法による光電変換シンクロデバイスの構築
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批准号:13022203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.69万
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财政年份:2001
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负责人:近藤 敏啓
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依托单位:
SOR光利用表面X線散乱法による電極/溶液界面の原子レベルでのその場構造追跡
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批准号:11750705
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1999
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负责人:近藤 敏啓
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依托单位:
SOR光利用表面X線吸収分光法による電極/溶液界面のその場構造解析
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批准号:09740509
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1997
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负责人:近藤 敏啓
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依托单位:
SOR光を利用した表面X線吸収分光法による電極/溶液界面のその場構造解析
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批准号:08750946
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:近藤 敏啓
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依托单位:
SOR光を用いた表面X線散乱法による電極/溶液界面の原子レベルでのその場構造解析
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批准号:07740439
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1995
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负责人:近藤 敏啓
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依托单位:
機能性有機単分子層によるシリコン表面への機能の付与と制御
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批准号:06750839
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1994
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负责人:近藤 敏啓
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依托单位: