微小デジタル光デバイスの基礎研究
微小デジタル光デバイスの基礎研究
批准号:
13875065
负责人:
中野 義昭
金额:
$1.47万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2001
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2001 至 2002
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英文摘要
本研究は,光通信ネットワークにおいて,伝送光信号のデジタル処理を電子回路の助けを借りずに行う微小なデジタル光デバイスを実現するための基礎研究である.平成14年度は,具体的には以下の項目の研究を行った.(1)微小光導波路の解析と試作:微小デジタル光デバイスを実現する上で鍵となるのは,コンパクトに光配線を行う曲率半径の小さい光導波路である.ここでは,従来と全く異なる発想によるプラズモンモード金属光導波路を研究した.このような新しい光導波路の理論解析,数値解析を通じて光伝搬メカニズムを解明するとともに,同光導波路を試作し,光通信波長(1.55μm)における伝搬特性を測定評価した.(2)サブバンド間遷移巨大・超高速光非線型性発現のための超格子構造の設計:本研究では,高効率・超高速光非線型性の実現に,半導体多重ヘテロ接合におけるサブバンド間遷移を用いる.本年度はGaN/AlN超格子のサブバンド間遷移波長を設計するツールを開発した.(3)超格子形成のための結晶成長技術の検討:上記のサブバンド間遷移を実現するGaN/AlN超格子構造の有機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE)を研究し,単原子層で急峻に切り替わる界面を形成する方法および,転位密度を低減する新たな構造を開発した.これを利用して,MOVPEとしては世界最短のサブバンド間遷移波長(1.68μm)を実現した.(5)光フリップフロップ動作検証実験:コンパクトな全光フリップフロップをInGaAsP/InP系材料のMOVPEにより試作,開発し,数dBm程度の極めて低い制御光パワーで,全光フリップフロップが可能であることを実証した.
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片桐祥雅: "(解説)高密度光集積回路に向けた金属光配線技術"光学. (掲載決定済み). (2002)
Yoshimasa Katagiri:“(解释)高密度光学集成电路的金属光学布线技术”(已确认出版)(2002 年)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
後藤東一郎: "ナノギャップ伝搬光の特性解析"電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会(宮崎大学)講演論文集. C-3-76. 176 (2002)
Toichiro Goto:“纳米间隙传播光的特性分析”IEICE 电子学会会议记录(宫崎大学)176(2002 年)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
片桐祥雅: "(招待論文)超微細光回路に向けたプラズモンモード金属光導波路"レーザー研究. (掲載予定). (2003)
Yoshimasa Katagiri:“(特邀论文)用于超精细光学电路的等离激元模式金属光波导”激光研究(待出版)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
Mitsuru Takenaka: "Proposal of an all-optical flip-flop using a cross-coupled MMI bistable laser diode"Proceedings of the 11th European Conference on Integrated Optics(ECIO '03). vol.1. 335-338 (2003)
Mitsuru Takenaka:“使用交叉耦合 MMI 双稳态激光二极管的全光触发器的提案”第 11 届欧洲集成光学会议 (ECIO 03) 会议记录。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
イットフーチョン: "精密微小反射測定法による金属光導波路の伝搬特性評価"電子情報通信学会総合大会(早稲田大学)講演論文集. (採録決定済み). (2002)
Itfu Chong:“使用精密微反射测量方法评估金属光波导的传播特性”电子信息通信工程师学会会议论文集(早稻田大学)(已录用)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 17 条
Development and application of compound semiconductor monolithic advanced unitary conversion photonic integrated circuits
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批准号:23H00272
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$29.79万
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财政年份:2023
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负责人:中野 義昭
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依托单位:
半導体モノリシック光波合成・任意ユニタリ変換光集積回路の創出
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批准号:26000010
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项目类别:Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
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资助金额:$336.13万
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财政年份:2014
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负责人:中野 義昭
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依托单位:
窒化物半導体量子構造に基づくサブバンド間遷移機能光デバイスの研究
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批准号:17656023
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2005
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负责人:中野 義昭
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依托单位:
半導体デジタル全光デバイスの特性解析と試作評価
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批准号:03F00214
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.38万
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财政年份:2003
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负责人:中野 義昭
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依托单位:
微小光共振器に基づく能動/受動集積モノリシック光回路の研究
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批准号:03F03214
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.15万
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财政年份:2003
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负责人:中野 義昭
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依托单位:
半導体非相反光ロジックデバイスの基礎研究
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批准号:15656085
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.86万
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财政年份:2003
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负责人:中野 義昭
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依托单位:
スピン制御超構造を応用した半導体光集積回路の研究
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批准号:09244206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.11万
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财政年份:1997
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负责人:中野 義昭
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依托单位:
多モード干渉カプラと半導体能動素子の集積化による光スイッチングデバイス
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批准号:07750381
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1995
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负责人:中野 義昭
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依托单位:
半導体吸収回折格子の可飽和光吸収メカニズムの解明
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批准号:06855005
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1994
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负责人:中野 義昭
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依托单位:
InP基板上InGaAs/InGaAlAs歪量子井戸の選択無秩序化プロセス
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批准号:05750307
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:中野 義昭
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依托单位:
制御グリッドを設けた電界効果半導体レーザトライオード
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批准号:03855083
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1991
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负责人:中野 義昭
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依托单位:
チャープトグレーティングを利用した新しい波長可変分布帰還型半導体レーザ
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批准号:02750021
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1990
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负责人:中野 義昭
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依托单位:
変調電極による分布帰還型半導体レーザの発振特性安定化とスペクトル線幅狭窄化
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批准号:01750358
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1989
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负责人:中野 義昭
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依托单位:
利得結合分布帰還型半導体レーザ実現のための基礎的研究
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批准号:63750031
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1988
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负责人:中野 義昭
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依托单位:
短波長帯分布帰還型半導体レーザ用超短周期回折格子の作製技術に関する研究
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批准号:61790136
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1986
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负责人:中野 義昭
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依托单位:
海外基金