InP基板上InGaAs/InGaAlAs歪量子井戸の選択無秩序化プロセス

InP衬底上InGaAs/InGaAlAs应变量子阱的选择性无序过程

• 批准号: 05750307
• 负责人: 中野 義昭
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05750307/
• 关键词: InP; InGaAs; InGaAlAs; 無秩序化; 量子井戸; 歪み量子井戸; RTA; MBE

1.InP基板上InGaAs/InGaAlAs量子井戸の分子線エピタキシャル成長:まず,分子線エピタキシ-(MBE)を用いて,標記量子井戸をInP基板上に成長する条件を検討した.GaAs上のInGaAs,InAlAs成長時のRHEED振動を利用して,Inのフラックスを較正し,InP上の格子整合InGaAs量子井戸成長を試みた.ところが,エピタキシャル成長層を二結晶X線回折により評価したところ,数パーセント程度の格子歪みが入っていることがわかり,その原因の一つはInセルの温度がシャッターを開いてからしばらく変化することにあることがわかった.そこで,シャッターを開く際にアクティブに温度補償する技術を開発し,Inフラックスの安定化を図った.Inフラックスが上記の通り間接的に測定されていることが,格子不整合のもう一つの原因であると考えられるので,現在InAs基板上のInAs成長からInフラックスを決定することを試みている.また,フォトルミネッセンス(PL)による量子井戸の評価も進行中である.2.InP基板上InGaAs/InGaAlAs歪量子井戸の無秩序化:急速加熱法(RTA)による,標記歪量子井戸の選択無秩序化を試みた.まず,エピタキシャル基板上にマグネトロンスパッタによってSiO2膜を堆積し,パタ-ニングを行った後,RTAを種々の条件下で行った.次に試料をからのPLを測定し,波長シフト量から無秩序化の度合いを評価した.その結果,熱処理を加えたものは加えない者に比べPLピーク波長がわずかに短波長側へシフトし,SiO2膜下ではさらに10nm程度短波長側へシフトすることがわかった.これより,SiO2膜が選択無秩序化を誘起することが明らかとなった.現在,選択無秩序化の面内方向分解能を評価中で,これが十分高い分解能を有することがわかれば,次に選択無秩序化を利用した利得結合分布帰還型半導体レーザの試作に進む予定である.

The growth of InGaAs/InGaAlAs quantum well on 1.InP substrate is characterized by the growth of molecular line transistor (MBE), the growth condition of InGaAs,InAlAs on the InP substrate, the long-term RHEED vibration utilization of GaAs, the correction of In vibration, and the integration of InP lattice into InGaAs quantum well. The reason is that the temperature is very high, and the temperature is high. In this paper, the temperature monitoring technology is open, the In is stable, the temperature, the temperature In order to improve the performance of the InGaAs/InGaAlAs skew quantum well on the InP substrate, the order of the InGaAs/InGaAlAs skew quantum well on the InP substrate is improved. The rapid addition method (RTA) is used to improve the performance of the quantum well. the standard skew quantum well is selected for the order test. After the operation of the SiO2 film stack on the substrate, the RTA system will be operated under various conditions. The secondary material is measured by PL, and the wave length is measured by the order of the wave length. The results show that the wavelength of PL wave length is higher than that of short-wave long-wave wave, and the degree of short-wave long-wave wave under SiO2 film is higher than that of 10nm. In the SiO2 film, select the order control system to order the information. Now, it is selected that the order of the in-plane directional decomposition is very high, and the order of the order is very high, and the sub-order is based on the combination of the order and the distribution of the semispherical body.

项目成果

Kazuya Okamoto: "Open-tube diffusion in GaAs using zinc and tin doped spin-on silica films" First International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces,Karuizawa. P7-3 (1993)

Kazuya Okamoto：“使用锌和锡掺杂的旋涂二氧化硅薄膜在 GaAs 中进行开管扩散”首届半导体接口控制国际研讨会，轻井泽。

Yoshiaki Nakano: "Modulation bandwidth of absorptive-grating gain-coupled DFB laser diodes(吸収性回折格子型利得結合DFB半導体レーザの変調帯域)" 電子情報通信学会技術研究報告(光スイッチングシステム・デバイス研究会). PSSD93. 30-35 (1993)

Yoshiaki Nakano：“吸收光栅增益耦合 DFB 激光二极管的调制带宽”IEICE 技术研究报告（光开关系统和设备研究组）（PSSD93 .30-35）（1993 年）。

Kazuya Okamoto: "Open-tube Zn and Sn diffusion into GaAs using doped spin-on silica films" 電気学会電子材料研究会資料. EFM-93. 37-43 (1993)

Kazuya Okamoto：“使用掺杂旋涂二氧化硅薄膜将开管 Zn 和 Sn 扩散到 GaAs”，IEEJ 电子材料研究小组材料。