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双安定性EL2センターの光スイッチング特性発現温度域の高温化

增加双稳态EL2中心光开关特性的温度范围

基本信息

批准号：
16656008
负责人：
前田康二
金额：
$ 1.92万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2005
项目状态：
已结题

项目摘要

GaAs結晶中の点欠陥EL2は、適当な波長の光を照射すると安定状態から電子・光学的特性が著しく異なる準安定状態へと構造変化を起こす。普通この準安定状態は低温でないと凍結できないが、準安定状態の凍結可能温度が室温まで広がれば、様々な応用が考えられる。このようなEL2の双安定性発現温度域は引っ張り応力により拡大することが分かっているが、歪み薄膜成長や転位により導入した内部応力場を利用することで高温でも光双安定性を実現できる可能性がある。これを定量的に調べるためには、結晶中に不均一に存在する内部応力場を測定しながら、同一場所でEL2の双安定挙動を観察することが必要である。今年度は、低温成長GaAs(LT-GaAs)エピタキシャル膜と塑性変形したGaAs単結晶を用いて、応力下での光双安定性を系統的に調べることができるようになった。(1)GaAs結晶のTO,LOフォノン波数を測定することにより局所的な弾性歪みを80μΦの空間分解能で評価するため、532nmのレーザー光を励起光に用いたラマン散乱測定システムを構築した。(2)ラマン測定するのと完全に同一場所で、同じ532nmのレーザー光を励起源とするフォトルミネッセンス(PL)を測定できるシステムを構築した。上記光誘起構造変化をEL2由来PL強度の赤外光照射に伴う減少によって検知するためには、ポリクロメータと電子冷却InGaAsフォトダイオードアレイでは感度不足となるため、回折格子分光器と窒素冷却InGaAsのフォトダイオード検出器によるロックイン検波方式とした。(3)試料を20K〜室温の間の任意の温度に保ちつつ、圧電素子によって試料に弾性歪みを加えることのできる装置を作成した。(4)LT-GaAs中のEL2由来のPL強度改善に高温アニールが有効であることを確認した。

In GaAs crystals, the electron and optical properties of the dot defect EL2 are different from those of the quasi-stable state due to irradiation with light of appropriate wavelength. Normal quasi-stable state is low temperature, freezing temperature, quasi-stable state is possible freezing temperature, freezing temperature The bistability of EL2 appears in the temperature domain due to tension and tension, and it is possible that the bistability of EL 2 appears at high temperatures due to the introduction of internal force fields. The internal force field of the crystal is determined. The stability of the crystal is determined. This year, GaAs(LT-GaAs) grown at low temperature has a high optical stability and low optical stability. (1)GaAs crystal TO,LO, wavelength measurement, spatial resolution energy evaluation, 532nm excitation, wavelength measurement (2)The measurement is based on the same 532nm excitation source. Note that the photoinduced structure of EL2 is due to the decrease of PL intensity and the decrease of electron cooling InGaAs sensitivity. (3)Sample temperature between 20K and room temperature, temperature protection, voltage element, sample temperature, temperature increase, temperature increase, (4) PL intensity improvement due to EL2 in LT-GaAs is confirmed at high temperature.

项目成果

期刊论文数量（12）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Graphitization of Tetrahedral Amorphous Carbon Films Induced by Core Electron Excitations

核心电子激发诱导四面体非晶碳膜的石墨化

DOI：
发表时间：
2005
期刊：
Jpn.J.Appl.Phys. 44・49
影响因子：
0
作者：
N.Naruse;Y.Mera;K.Maeda;鈴木茂;S.Liang;Shigeru Suzuki;Y Iguchi;A.Yajima;鈴木茂;Y.Nakamura;S.Suzuki;S.Liang
通讯作者：
S.Liang

Evolution Kinetics of sp^2 Ordering in Tetrahedral Amorphous Carbon Films induiced by Electron Irradiation

电子辐照诱导四面体非晶碳膜中sp^2有序化的演化动力学