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プローブ励起による原子分子操作

通过探针激发进行原子和分子操纵

基本信息

批准号：
11222201
负责人：
前田康二
金额：
$ 39.42万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (B)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至 2001
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度は、以下のことが分かった。Si(001)-(2×1)表面上のCl:電流がトンネル注入される表面バンドの結晶学的異方性に従って、注入効果が空間的に異方的に広がることが明らかになった。昨年度までに明らかになったSi(111)-(7×7)面で表面バンドに沿う広がり効果が一般的な現象であることが示された。C_<60>膜の電子注入による重合と解離:HOPG基板に堆積したC_<60>結晶膜に対してSTM探針から電子注入を行うと誘起されるクラスタ重合現象について、バイアス電圧依存性とトンネル電流依存性を系統的に測定した結果、サンプルバイアス+2V以上で効果が起こり始め、また重合速度はトンネル電流に比例することが分かった。また、重合したクラスタが電子注入によって解離する現象が初めて見出され、解離速度もトンネル電流に比例することが明らかになった。さらに解離はクラスタ間隔が広いと起こりやすいことが分かった。また、注入効果が注入点から空間的に広がる現象は、クラスタ間隔が広いと抑制されることが明らかになった。これらの現象は、C_<60>結晶の3次元バンドに注入された電子が、特定のC_<60>分子に局在し、電子付与に伴って(2+2)環化付加重合およびその逆過程が誘起されるというモデルで説明可能である。tetrahedral amorphous Carbon(ta-C)膜のSTM探針プロービングによるナノパターニング:ナノスケールでパターニングされた平面電子エミッターを試作することを試みた。ta-C膜をSTM探針でプロービングすると起こる顕著な像変化が、原子状水素による表面処理により著しく抑制されることを見出した。水素による安定化処理をしない試料表面は経時変化によりグラファイト化し、昨年度見出したグライファイトでの同様な現象が起こるためと解釈できる。また、水素により安定化した表面に対しSTM探針に10Vの電圧を加えると、数nmサイズの領域が形成されることを見出した。走査トンネル分光測定の結果は局所的なグラファイト化を示し、プローブ励起によるナノパターニングが可能であることが分かった。

This year, the following points were recorded. Cl: current generation on Si(001)-(2×1) surface, crystal anisotropy of the surface, crystal anisotropy of the implantation effect, crystal anisotropy of the implantation effect, crystal anisotropy of the surface, crystal anisotropy of the implantation effect, crystal anisotropy of the crystal anisotropy of the implantation effect, crystal anisotropy of the surface, crystal anisotropy of the implantation effect, crystal anisotropy of the implantation effect In the past year, the surface of Si(111)-(7×7) plane has been reduced to a general phenomenon. C_<60>film electron injection coincidence and dissociation:HOPG substrate deposition, C_<60>crystal film deposition, STM probe, electron injection, induced by electron injection coincidence phenomenon, voltage dependence, current dependence of the system measurement results, the effect of more than +2V, the coincidence rate and the proportion of the current. The phenomenon of electron injection and dissociation occurs at the beginning, and the ratio of dissociation velocity and electron current occurs at the beginning. This is the first time I've ever seen a woman. The phenomenon of injection point and space separation is different from that of injection point. This <60>phenomenon is caused by the reverse process of electron injection, electron transfer, <60>electron transfer and (2+2) cyclization of C_crystals, electron injection into C_molecules and electron transfer into C_crystals. STM probe for tetrahedral amorphous Carbon(ta-C) film: test for planar electrons Ta-C film STM probe can be used for imaging and surface treatment. The surface of the sample was stabilized by water and the same phenomenon occurred in the past year. The surface of the STM probe is stabilized by a voltage of 10V, and the surface of the STM probe is stabilized by a voltage of several nm. The results of the spectral analysis of the sample are shown in the table below.