magnetic field induced metal-nonmetal transition in organic conductors

有机导体中磁场诱导的金属-非金属转变

基本信息

  • 批准号:
    05452061
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.61万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    1993
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1993 至 1994
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Two experiments were done in 1994. In the first one we examined if the magnetic field induced metal-nonmetal transition occurs in alpha- (BEDT-TSeF) _2I_3 of which the crystal structure and the electronic energy structure is very similar to those of alpha- (BEDT-TTF) _2I_3. The experimental results indicate that the field induced metal-nonmetal transition takes place in this materials as well as in alpha- (BEDT-TTF) _2I_3. However, the magnetic field strength about one order of magnitude higher was necessary to induce the transition. This may be due to low carrier mobility in this material.The next problem concems with the transport properties in the metallic region. We measured the conductivity and the Hall effect simultaneously in the temperature region above the metal-nonmetal transition. We found that the carrier density of this material decreases with the decreasing temperature, while the carrier mobility increases. The effect of the change in the carrier density and the mobility just canceled out to give the temperature independent conductivity. This is just the same we observed in alpha- (BEDT-TSeF) _2I_3.In the second experiment, we reexamined the low temperature Hall effect in alpha-(BEDT-TTF) _2I_3. A very large Hall angle observed at low temperatures suggests the fairly high carrier mobility in this materialThroughout the present project, we come to the conclusion that the magnetic field induced metal-nonmetal transition takes place in alpha- (BEDT-TTF) _2I_3 and alpha- (BEDT-TSeF) _2I_3 placed under high pressures and at low temperatures.
1994年进行了两次实验。在第一个实验中,我们考察了α - (BEDT-TTF) _2I_3中是否发生了磁场诱导的金属-非金属转变,其晶体结构和电子能量结构与α - (BEDT-TTF) _2I_3非常相似。实验结果表明,该材料和α - (BEDT-TTF) _2I_3均发生了场致金属-非金属转变。然而,磁场强度大约需要高一个数量级才能诱导转变。这可能是由于这种材料中的载流子迁移率低。下一个问题与金属区的输运性质有关。我们同时测量了金属-非金属过渡以上温度区域的电导率和霍尔效应。我们发现该材料的载流子密度随着温度的降低而降低,而载流子迁移率则增加。载流子密度和迁移率变化的影响正好抵消了,从而得到了不受温度影响的电导率。这和我们在α - (bett - tsef) _2I_3中观察到的是一样的。在第二个实验中,我们重新研究了α -(BEDT-TTF) _2I_3中的低温霍尔效应。在低温下观察到的非常大的霍尔角表明该材料具有相当高的载流子迁移率。在本项目中,我们得出结论,在高压和低温下,磁场诱导的α - (BEDT-TTF) _2I_3和α - (BEDT-TSeF) _2I_3发生了金属-非金属转变。

项目成果

期刊论文数量(21)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
三島孝博,尾日吏,梶田晃示,西尾豊,家泰弘: "Temperature Independent Conductiuity of,α-(BEDT-TTF)_2I_3-Compensation of the changein the Carrier Density and the Mobility" Synthetic Metals. (印刷中).
Takahiro Mishima、Satoshi Ohi、Koji Kajita、Yutaka Nishio、Yasuhiro Ie:“α-(BEDT-TTF)_2I_3 - 载流子密度和迁移率变化的补偿”合成金属(正在出版)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
飯森 茂,梶田 晃示,西尾 豊 家 泰弘: "ancmalns Metal-Insulator Trauitin in α-(βEDT-TTF)_2I_3 under High Pressure" Synthetic Metals. (印刷中).
Shigeru Iimori、Koji Kajita、Yasuhiro Nishio:“高压下 α-(βEDT-TTF)_2I_3 中的金属绝缘体 Trauitin”(正在印刷中)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
手賀俊樹,西尾豊,梶田晃示,加藤礼三,小林速男: "Magnetic Praperties of (DMe-DCNQI)_2Cu under Uniaxial Stress" Synthetic Metals. 印刷中.
Toshiki Tega、Yutaka Nishio、Koji Kajita、Reizo Kato、Hayao Kobayashi:“单轴应力下 (DMe-DCNQI)_2Cu 的磁性”正在出版。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
S.Iimori, K.Kajita, Y.Nishio and Y.Iye: ""Anomalous Metal-Insulator Transition in alpha- (BEDT-TTF) _2I_3 under High Pressure"" Synthetic Metals. (in press).
S.Iimori、K.Kajita、Y.Nishio 和 Y.Iye:“高压下 α- (BEDT-TTF) _2I_3 中的异常金属-绝缘体转变””合成金属。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
三島孝博,梶田晃示,西尾豊,家泰弘: "Extremely High Mability Carriers in Organic Conductor α-(BEDT-TTF)_2I_3 under High Pressure" Materials Science and Engineering. B25. L1-L5 (1994)
Takahiro Mishima、Koji Kajita、Yutaka Nishio、Yasuhiro Ie:“高压下有机导体 α-(BEDT-TTF)_2I_3 中的极高流动性载流子”材料科学与工程 (1994)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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