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Development of molecular transistors with organic-radical tunnel junctions towards observation of large magnetoresistance
开发具有有机自由基隧道结的分子晶体管以观察大磁阻
基本信息
- 批准号：20K21010
- 负责人：
- 金额：$ 4.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-07-30 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（5）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Vertically-aligned molecular transistors for large-scale integration
用于大规模集成的垂直排列分子晶体管
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ryoma Hayakawa;Toyohiro Chikyow;Yutaka Wakayama
- 通讯作者：Yutaka Wakayama
Vertically-Aligned Single Carrier Devices with Molecular Quantum dots for Large-Scale Integration
用于大规模集成的具有分子量子点的垂直排列单载体器件
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ryoma Hayakawa;Tuhin Shuvra Basu;Yutaka Wakayama;Ryoma Hayakawa;早川 竜馬;Ryoma Hayakawa
- 通讯作者：Ryoma Hayakawa
A Vertical Transistor with Molecular Quantum Dots
具有分子量子点的垂直晶体管
- DOI：10.11316/butsuri.77.5_298
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：早川 竜馬;Tuhin Shuvra Basu;若山 裕
- 通讯作者：若山 裕
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HAYAKAWA Ryoma其他文献
2D Materials and van-der-Waals Heterostructure based Optoelectronic Devices
二维材料和基于范德华异质结构的光电器件
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
MUKHERJEE Bablu;Bin ZULKEFLI Mohd Amir;HAYAKAWA Ryoma;WATANABE Kenji;TANIGUCHI Takashi;WAKAYAMA Yutaka;NAKAHARAI Shu - 通讯作者：
NAKAHARAI Shu
Enhanced Quantum Efficiency in Mixed-thickness ReS2/p-Si Schottky Photodiode
混合厚度 ReS2/p-Si 肖特基光电二极管的量子效率增强
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
MUKHERJEE Bablu;Bin ZULKEFLI Mohd Amir;HAYAKAWA Ryoma;WATANABE Kenji;TANIGUCHI Takashi;WAKAYAMA Yutaka;NAKAHARAI Shu - 通讯作者：
NAKAHARAI Shu
2D van-der-Waals Multilayer-ReS2/h-BN/Graphene Heterostructures Based Non-Volatile Memory Device for IoT Era
物联网时代基于二维范德华多层ReS2/h-BN/石墨烯异质结构的非易失性存储器件
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
MUKHERJEE Bablu;Bin ZULKEFLI Mohd Amir;HAYAKAWA Ryoma;WATANABE Kenji;TANIGUCHI Takashi;WAKAYAMA Yutaka;NAKAHARAI Shu - 通讯作者：
NAKAHARAI Shu
HAYAKAWA Ryoma的其他文献
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{{ truncateString('HAYAKAWA Ryoma', 18)}}的其他基金
Developments of single-electron spin transistors with molecular quantum dots
分子量子点单电子自旋晶体管的研究进展
- 批准号：
18H01481 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of multi-level spin memory with attractive molecular dots
具有有吸引力的分子点的多级自旋存储器的开发
- 批准号：
25630132 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Development of a multi-functional molecular memory based on current silicon process
基于当前硅工艺的多功能分子存储器的开发
- 批准号：
23686051 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Development of photo-switching transistors using functional organic molecules
使用功能有机分子开发光开关晶体管
- 批准号：
20860090 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
相似海外基金
鉄フタロシアニン系分子性伝導体が示す巨大磁気抵抗効果を制御する分子設計の確立
建立控制铁酞菁基分子导体巨磁阻效应的分子设计
- 批准号：
19H02691 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
超音波による遷移金属酸化物の軌道、電荷自由度がもたらす巨大磁気抵抗効果の研究
利用超声波研究过渡金属氧化物轨道和电荷自由度带来的巨磁阻效应
- 批准号：
01J07146 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
巨大磁気抵抗効果を利用した磁壁のダイナミクスの研究
利用巨磁阻效应研究磁畴壁动力学
- 批准号：
10740178 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
ナノスケール強磁性ドメインを利用した巨大磁気抵抗効果の微小磁場制御
利用纳米级铁磁畴的巨磁阻效应的微磁场控制
- 批准号：
09236201 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
巨大磁気抵抗効果を示す金属間化合物の熱測定
表现出巨磁阻效应的金属间化合物的热测量
- 批准号：
08740291 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
X線異常小角散乱装置の試作および巨大磁気抵抗効果の解明
X射线反常小角散射装置原型及巨磁阻效应阐明
- 批准号：
07555475 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
メスバウアー分光法を用いた人工格子の巨大磁気抵抗効果の研究
利用穆斯堡尔谱研究人工晶格中的巨磁阻效应
- 批准号：
06640475 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
人工格子巨大磁気抵抗効果を用いた固体磁気記憶素子の試作
利用人工晶格巨磁阻效应的固态磁存储元件的原型制作
- 批准号：
04855051 - 财政年份：1992
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)