Development of molecular transistors with organic-radical tunnel junctions towards observation of large magnetoresistance

开发具有有机自由基隧道结的分子晶体管以观察大磁阻

基本信息

  • 批准号：
    20K21010
  • 负责人：
    HAYAKAWA Ryoma
  • 金额：
    $ 4.16万
  • 依托单位：
    National Institute for Materials Science
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份：
    2020
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2020-07-30 至 2023-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（5）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
University of Konstanz(ドイツ)
康斯坦茨大学（德国）
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Vertically-aligned molecular transistors for large-scale integration
用于大规模集成的垂直排列分子晶体管
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ryoma Hayakawa;Toyohiro Chikyow;Yutaka Wakayama
  • 通讯作者：
    Yutaka Wakayama
Vertically-Aligned Single Carrier Devices with Molecular Quantum dots for Large-Scale Integration
用于大规模集成的具有分子量子点的垂直排列单载体器件
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ryoma Hayakawa;Tuhin Shuvra Basu;Yutaka Wakayama;Ryoma Hayakawa;早川　竜馬;Ryoma Hayakawa
  • 通讯作者：
    Ryoma Hayakawa
CMOSプロセスに適合した縦型分子トランジスタの開発
兼容CMOS工艺的垂直分子晶体管的开发
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    早川　竜馬
  • 通讯作者：
    早川　竜馬
Vertical Quantum-Effect Transistors with Molecular Dots
具有分子点的垂直量子效应晶体管
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ryoma Hayakawa;Tuhin Shuvra Basu;Yutaka Wakayama
  • 通讯作者：
    Yutaka Wakayama
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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  • 通讯作者：
    NAKAHARAI Shu

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
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    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
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  • 财政年份：
    1994
  • 资助金额：
    $ 4.16万
  • 项目类别：
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  • 财政年份：
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  • 资助金额：
    $ 4.16万
  • 项目类别：
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{{ showInfoDetail.title }}

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