超精密加工面の常温固相接合による三次元マイクロファブリケーション

利用超精密加工表面的室温固相键合进行三维微加工

• 批准号: 05650688
• 负责人: 牧野 英司
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05650688/
• 关键词: 常温固相接合; マイクロファブリケーション; 超精密切削

1.ターボ分子ポンプ,スパッタイオンポンプを排気系とする超高真空固相接合実験装置を試作し,10^<-9>Torr台の超高真空を実現した.さらにベーキングを続けて10^<-10>Torr台の実現を目指す.接合実験における試料温度の影響の検討に際して,真空チャンバーの外から赤外ランプによって試料の加熱を行ったが真空度の低下がみられたので,原因の究明と改善を図る.2.ブリッジマン法による銅単結晶の作製ならびに結晶方位の決定の手順を確立した.作製した銅単結晶試料を超精密ダイヤモンド切削装置で切削し,結晶方位と切削方向が切削面の表面精度や加工変質層に及ぼす影響を明らかにした.ダイヤモンドバイトのノーズ半径2mm,バイト送り量10μm/rev,切込み300μmで切削したとき,表面あらさは結晶方位,切削方向によらず約15nmR_<max>であった.3.上記の条件で切削した(012)面銅単結晶同士の接合実験を行った.試料温度約75℃,接合圧力1.05×10^<-2>Kgf/mm^2,接合面積3.8mm^2の条件で行った最初の接合実験ではまだ所期の結果は得られていない.装置開発,試料の作製方法の確立など準備段階はほぼ終了したので,今後は接合圧力,接合温度,あるいは接合面の形状などを変化させながら,より広い実験条件の下で接合実験を重ね,固相接合における温度や圧力の影響,接合面性状の影響,結晶方位の影響を明らかにしていく予定である.

1. Experiment of ultra-high vacuum solid phase bonding equipment for molecular bonding, ultra-high vacuum solid phase bonding equipment for 10 ^<-9>Torr. The 10^<-10>Torr station's implementation instructions are as follows: The influence of sample temperature on the bonding process was discussed. The vacuum was applied to the surface of the sample. The vacuum was applied to the surface of the sample. The vacuum was applied to the surface of the sample. For the manufacture of copper single crystal sample, the cutting device shall be used for cutting, the crystal orientation, the cutting direction, the surface accuracy of the cutting surface, and the influence of the cutting surface on the quality layer. The cutting radius is 2mm, the cutting distance is 10μm/rev, the cutting distance is 300μm, the crystal orientation of the surface is about 15 nm, and the cutting direction is about 15 nm<max>. 3. The above conditions are cutting (012) surface copper crystal and bonding. The sample temperature is about 75℃, the bonding pressure is 1.05×10^<-2>Kgf/mm^2, and the bonding area is 3.8 mm^2. The initial bonding results are expected. Device development, establishment of sample manufacturing method, preparation stage, final stage, joint pressure, joint temperature, joint surface shape, joint process, solid phase joint, temperature and pressure, joint surface properties, crystal orientation, etc.