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優れた熱電特性を示す化合物に認められる微視的組成/構造変調の意味と効用を探る -微視的組成/構造変調は偶然なのか?それとも熱電特性の向上に積極的意味があるのか?-

探索在表现出优异热电性能的化合物中观察到的微观组成/结构调制的意义和实用性 -微观组成/结构调制是巧合，还是对改善热电性能具有积极意义？-

基本信息

批准号：
14655257
负责人：
山口正治
金额：
$ 2.43万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2002
资助国家：
日本
起止时间：
2002 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-14655257/
关键词：
熱電変換熱電変換化合物ドーピングスパッタリング薄膜 Zn_4Sb_3

项目摘要

熱電材料による熱電変換効率は、温度、熱電能、比抵抗、熱伝導率の関数である。実用的熱電変換の実現には、無次元性能指数が1を越える熱電材料の開発が必須である。現在、(AgSbTe_2)1-X(GeTe)X系、CoSb_3系、Zn_4Sb_3系の化合物が1を越える無次元性能指数を示す熱電化合物として知られている。本研究では、Zn_4Sb_3の熱電変換特性を改良するため、Zn_4Sb_3に対する固溶度の大きなドーピングエレメントを探索し、Inが最適であることを発見した。Inは0.5at.%までZn_4Sb_3のZnを置換することによって固溶し、ドナーとして働く。その結果、p型半導体であるZn_4Sb_3の電気伝導率を下げ、ゼーベック係数を上げる。同時に、Znをランダムに置換する効果によって、熱伝導率を低下させる。このような効果によって、In添加はZn_4Sb_3の熱電変換特性を向上させることが明らかになった。Zn_4Sb_3の熱電変換特性のさらなる向上を目指し、スパッタリング法によるZn_4Sb_3の薄膜化にも取り組んだ。Zn_4Sb_3薄膜の熱電変換特性は、薄膜の作成条件に非常に敏感に依存するが、適正なスパッタリング条件のもとで作成したZn_4Sb_3薄膜は大きなパワーファクターと小さな熱伝導率を示し、優れた熱電変換特性を示すことを発見した。500℃以下の温度範囲では、現在報告されている高特性熱電化合物の中で最高値に近い熱電変換特性が得られた。成果を本年3月初旬に開催された米国TMS Meeting (San Diego)で報告し、報告したPost-Doc研究者と大学院学生がBest Poster Paper Awardを獲得している。

Thermoelectric materials are related to temperature, thermoelectric energy, specific resistance and thermal conductivity. The thermoelectric conversion in use is realized without dimensional performance index of 1. Now,(AgSbTe_2)1-X(GeTe)X system, CoSb_3 system, Zn_4Sb_3 system compounds are more and more important than 1-X (GeTe) X system compounds. In this study, the thermoelectric conversion characteristics of Zn_4Sb_3 were improved, and the solid solubility of Zn_4Sb_3 was optimized. Inは0.5at.% The solution of Zn_4Sb_3 and Zn in the solution was studied. The electrical conductivity of p-type semiconductor Zn_4Sb_3 decreases and the coefficient increases. At the same time, Zn is replaced by Zn, resulting in low thermal conductivity. In addition, the thermoelectric conversion characteristics of Zn_4Sb_3 are improved. A Study on the Thermoelectric Properties of Zn_4Sb_3 by Using a New Method The thermoelectric conversion characteristics of Zn_4Sb_3 thin films are very sensitive to the preparation conditions of the thin films. The thermal conductivity of Zn_4Sb_3 thin films is large and small. The thermoelectric conversion characteristics of Zn_4Sb_3 thin films are excellent. The temperature range below 500℃ is now reported to be the highest in the range of high temperature thermoelectric compounds. The results were presented at the TMS Meeting (San Diego) in early March 2010, and the Best Poster Paper Award was awarded to Post-Doc researchers and university students.