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ラインコンパウンドに対する新しい視点とその工学的意味

关于线路化合物及其工程影响的新视角

基本信息

批准号：
09875170
负责人：
山口正治
金额：
$ 1.54万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

ラインコンパウンドとは組成幅がほとんどない化合物である。しかし,陽電子寿命測定法を用いた金属間化合物中の原子空孔の性質に関する系統的研究の中で、MoSi_2中の平均陽電子寿命が825K(0.36Tm)近傍で増加し始めることがわかり、本年度1MeVの電子および13MeVのプロトンを100Kで照射し、それによって形成される原子空孔型格子欠陥の同定と加熱にともなうその消滅過程を研究した。その結果、以下の新しい知見が得られた。1.MoSi_2にはNiAlに見られるような構造的原子空孔(structural vacancies)は存在しない。2.1MeVの電子照射によって形成される欠陥は、Siサイトの原子空孔である。3.電子照射によって形成される欠陥の消滅過程は240Kで始まり、約800Kで終了する。4.この消滅過程は少なくとも2段階に分離して起こり。第1段階で原子空孔が移動可能となり、原子空孔のクラスターが形成される。500K以上で起こる第2段階では、クラスターから原子空孔が蒸発し、消滅サイトで消滅する。5.13MeVのプロトンを照射すると、多量の格子間原子を含むダメ-ジカスケードが形成される。格子間原子の易動度は原子空孔のそれに比してはるかに大きいので、プロトン照射による欠陥の回復は照射後ただちに始まる。しかし、回復が完全に終わる温度は、電子照射の場合のそれと同じである。6.1473Kからクエンチした試料にも原子空孔、多分そのクラスターが形成される。この場合のフラスターの消滅は600Kから始まり、700Kで終了する。7.1200Kから徐冷した試料にも原子空孔型欠陥が凍結される。現在LaNi_5系、Al_3Ti系、MSi_2(M:遷移金属)系の金属間化合物ならびにSiCについても同様に実験を続けており、これらの結果を総合して、ラインコンパウンドの構造の乱れについて新しい知見を導き出すことを試みる。

The composition of the compound is different. A systematic study on the properties of atomic voids in intermetallic compounds using positron lifetime measurement method. The average positron lifetime in MoSi_2 is 825K.(0.36Tm) Near the beginning of the increase, this year 1MeV electron radiation to 13MeV electron radiation to 100K, the formation of atomic hole lattice defects and constant heating and destruction process was studied. The results of the survey, the following new knowledge and knowledge were obtained. 1. MoSi_2 and NiAl have structural voids. 2.1 MeV electron irradiation causes the formation of atomic voids in Si. 3. The electron irradiation process starts at about 240K and ends at about 800K. 4. The process of elimination is divided into two stages. In the first stage, atomic holes may move and form. Above 500K, the second stage of the atomic hole is evaporated and eliminated. 5.13 MeV radiation, a large number of interlattice atoms are included in the formation of the first phase. The mobility of atoms between lattices is different from that of atomic holes. Temperature, electron irradiation, etc. 6.1473K In this case, the first phase of the process is 600K, and the second phase is 700K. 7.1200K cold test sample in the atomic hole is not frozen. At present, the intermetallic compounds of LaNi_5, Al_3Ti and MSi_2(M: migration metal) systems and SiC have been studied in detail.