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ラインコンパウンド空孔規則相の構造物性

线状复合孔有序相的结构性质

基本信息

批准号：
15656174
负责人：
山口正治
金额：
$ 1.98万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2003
资助国家：
日本
起止时间：
2003 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

ラインコンパウンドは組成幅がほとんど無い化合物であるが、その中に、組成が古典的な化学量論に従わず構成元素比が整数でないものが多数存在する。このようなラインコンパウンドの基本的構造はほとんど既知であるが、実際には基本構造に多量の構造的原子空孔が組み込まれた空孔規則相として存在することが多い。このような空孔規則相には原子空孔の配列によって多くのvariationsが存在し、その物性は空孔規則相の構造と非常に強い相関を持っている。このような構造と物性の間に特に強い相関をもつ物質について、その相関を研究するためには「構造物性学」的視点を導入する必要がある。そこで、C11_bを基本とする構造をもつシリサイドについて、その構造、特に空孔規則構造と物性の関係について研究した。Re disilicideの単相はReSi_<1.75>組成で得られ、基本構造はC11_b型である。しかし1770℃以下では、欠損Siが空格子点となり単斜晶空孔規則構造が形成される。Si欠損を構造的に捉えず、C11_b構造としてRe disilicideの電子構造を計算すればRe disilicideは金属的であると報告されている。しかし現実のReSi_<1.75>はnarrow gapの半導体であり、空孔規則構造と物性の強い相関がある。本研究では,ReSi_<1.75>のReをMoで置換、Si量を微調整しつつ単相試料を作製、その電気抵抗を測定し、半導体的挙動から金属的挙動への遷移と対応する構造変化を解析した。同時に新たなシアー構造やアダプティブ構造を見出し、それらの構造に結晶した試料の熱電性能指数を測定したが、現在のところ特に大きな値を得るには至っていない。

In terms of chemical composition, classical chemical theory and chemical composition, the number of constituent elements is much higher than that of the whole number. In order to improve the quality of the system, we know that there are many problems in the formation of atomic holes in the system. The empty hole rule is similar to the atomic empty hole rule, and the atomic empty hole rule is very strong in the configuration of the atomic empty hole rule, the atomic empty hole rule and the atomic empty hole rule. In this paper, the physical properties are studied, and the key points in the study of physical properties are introduced into the necessary information. This is the basic method for the study of physical properties, such as physical properties, physical properties, and special holes. The Re disilicide phase and the ReSi_<1.75> phase were used to obtain the standard, and the C11b type was basically made. When the temperature is below 1770 ℃, the rule of oblique crystal hole is formed when the space space of Si is not valid. Si is not responsible for the production of equipment, equipment, The physical properties are strongly correlated with each other according to the rules of ReSi_<1.75>, narrow gap, and void rules. In this study, ReSi_<1.75> Re Mo device, Si micrometer rectifier phase material test, thermal electronic resistance test, dynamic mechanical properties of semi-metallic materials and chemical analysis were studied. At the same time, the new system is used to improve the performance index of the system, and now it is very important to improve the performance index of the material.