大過剰賦活剤ドープ酸化物蛍光体の薄膜プロセス
大過剰賦活剤ドープ酸化物蛍光体の薄膜プロセス
批准号:
14655269
负责人:
斎藤 秀俊
金额:
$2.18万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2002
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2002 至 --
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プラズマディスプレイパネル(PDP)や電界放出ディスプレイ(EFD)の大画面化の要請を受け、紫外線励起あるいは電子励起蛍光体製造術の開発が急がれている。青・緑・赤三原色蛍光体の厚さあたりの蛍光強度を増やしつつ、簡便に製造することが求められており、酸化物はその有力候補である。平成11〜13年度科学研究費基盤Bの成果で、Al : ZnOウイスカーに大過剰(一般的な固溶限界の三倍)のAlをドープしてもウイスカー形状を保つことを速報した。ウイスカーへの不純物固溶機構は、バルクのそれと異なるようだ。Y_2O_3 : RE(RE:希土類)材料の高輝度ウイスカー蛍光体を得て、高輝度と構造の関係を探った。現有装置の大気開放型CVD装置(蛍光体膜の作製システム)を利用してEu : Y_2O_3(赤),Tb : Y_2O_3(緑)およびTm : Y_2O_3(青)の連続多結晶膜とウイスカー集合膜を作製した。現有設備である紫外-可視蛍光分光分析装置と電子励起蛍光分光分析装置により紫外線励起・電子線励起による蛍光特性を測定し、連続多結晶体とウイスカー集合体の蛍光特性を比較したところ、ウイスカーの方で輝度が強いことがわかった。現有のラマン散乱分光装置と現有の単結晶解析用X線回折装置でドープされたY_2O_3ウイスカーの格子定数の精密決定を行ったところ、ほぼ理論どおりの格子定数の変化が得られた。Y_2O_3ウイスカーの輪切りを作り、透過型電子顕微鏡法により元素分析を行って、大過剰賦活剤の析出位置を調査したところ、内部に均一に分布していることがわかった。
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Y.Satoh, S.Ohshio, H.Saitoh: "Blue emission from <100> oriented Y_2O_3 : Tm whiskers"Materials Science Letters. (in press).
Y.Satoh、S.Ohshio、H.Saitoh:“来自 <100> 取向的 Y_2O_3 的蓝色发射:Tm 晶须”材料科学快报。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Satoh, S.Oshio, H.Saitoh: "Photoluminescence properties of Y_2O_3 : Eu whiskers with preferential <100> orientation"Japanese Journal of Applied Physics. 41・11A. L1253-L1255 (2002)
Y.Satoh、S.Oshio、H.Saitoh:“Y_2O_3 的光致发光特性:优先<100>取向的Eu晶须”日本应用物理学杂志41・11A(2002)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Saitoh, Y.Fukada, S.Ohshio: "Zinc oxide whiskers with intense ultraviolet emission"Journal of Ceramics Society of Japan. 111・1. 1-3 (2003)
H.Saitoh、Y.Fukada、S.Ohshio:“具有强烈紫外线发射的氧化锌晶须”日本陶瓷学会杂志 111・1.1-3 (2003)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
D.B.Epassaka, S.Ohshio, H.Saitoh: "Properties of anti-plasma attack of Eu^<3+> : Y_2O_3 whiskers"Japanese Journal of Applied Physics. (in press).
D.B.Epassaka、S.Ohshio、H.Saitoh:“Eu^<3> 的抗等离子体攻击特性:Y_2O_3 晶须”日本应用物理学杂志。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
アモルファス炭素系薄膜の科学
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批准号:16636019
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2004
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
紫外領域における支配的なセラミックス励起子発光
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批准号:02F00371
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2002
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
アナターゼナノメッシュの光誘起電力
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批准号:13875137
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2001
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
ターボ符号を用いた超高密度記録のためのディジタル信号処理方式の研究
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批准号:12750339
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2000
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
強誘電体メモリのマイクロアーキテクチャー
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批准号:11875143
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1999
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
静電加速器を用いた窒素含有炭素中の結合改質
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批准号:10137219
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1998
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
高符号化率符号を用いたディジタル磁気記録の研究
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批准号:09750422
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1997
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
酸化物膜の高速エピタキャル成長プロセス
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批准号:09750808
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1997
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
エキシマレーザー支援による金属錯体から多元素酸化物への直接反応
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批准号:08750852
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1996
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
ダイヤモンドの高速エピタキシャル成長とレーザーフォトルミネセンスによる品質評価
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批准号:07750782
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1995
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
新超硬化合物菱面体B_4Nの基礎特性
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批准号:05855104
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1993
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负责人:斎藤 秀俊
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依托单位:
海外基金